光學平臺產品及廠家
octoplus 500 mbe系統是為了在6英寸襯底上生長高質量的iii/v族或者ii-vi族異質結構材料而研發業分子束外延系統。樣品臺選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。標準的octoplus 500有11個呈放射狀分布的源孔，可以根據需要增選3個源孔。
更新時間:2025-12-17
德國leica em txp全新精研一體機，是一款獨特的可對目標區域進行精確定位的表面處理工具，特別適合于sem，tem及lm觀察之對樣品進行切割、拋光等系列處理。它尤其適合于制備高難度樣品，如需要對目標精細定位或需對肉眼難以觀察的微小目標進行定點處理。
更新時間:2025-12-17
keyence 基恩士 形狀測量激光顯微系統全新 vk-x3000，納米 / 微米 / 毫米，一臺即可完成測量。292 種分析工具，一臺即可了解希望獲取的信息。一臺即包含了光學顯微鏡，臺階儀，光學輪廓儀，及電鏡功能。
更新時間:2025-12-17
日本電子 jsm-7610fplus，用于納米科學的肖特基場發射掃描電子顯微鏡， 是款采用半浸沒式物鏡、擁有超高分辨率的場發射掃描電子顯heidelberg 海德堡 μmla桌面無掩模光刻機
更新時間:2025-12-17
dwl 66+激光光刻系統是具經濟效益的高分辨率圖像產生器, 具有多種直寫模塊，實現不同精度直寫需求, 能于結構上進行灰度曝光
更新時間:2025-12-17
德國海德堡 heidelberg 激光直寫光刻機 mla150,德國高精密激光直寫繪圖機,非接觸式曝光,可支持高效數位光刻與灰度光刻.
更新時間:2025-12-17
英國nanobean nb5 電子束光刻機,具有良好的穩定性，平均正常運行時間超過93%.
更新時間:2025-12-17
瑞典 mycronic 掩膜版光刻機 fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導體，tft-lcd，微電子等行業。
更新時間:2025-12-17
系統中集成了高精度的激光干涉工作臺，運動行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實現精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時間:2025-12-17
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺設計，對電子束直寫應用進行了優化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時間:2025-12-17
德國raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機,系統可實現8英寸樣品的高速曝光。系統的穩定性是非常關鍵的指標，可保證大面積均勻曝光。該系統外部采用環境屏蔽罩，即使在稍差的實驗室環境下，仍然能確保系統具有非常好的熱穩定性，提高系統對外界環境的容忍度。
更新時間:2025-12-17
raith 150 two可實現亞5nm的曝光結構，可處理8”晶元及以下樣片。環境屏蔽罩保證了系統的熱穩定性，提高設備對實驗室環境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環境下，也能保證系統的正常穩定運行。
更新時間:2025-12-17
raith 150 two可實現亞5nm的曝光結構，可處理8”晶元及以下樣片。環境屏蔽罩保證了系統的熱穩定性，提高設備對實驗室環境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環境下，也能保證系統的正常穩定運行。
更新時間:2025-12-17
phabler 100 紫外光刻機是一套低成本的光學曝光系統，但卻能獲得高分辨率的周期性結構。同傳統的紫外曝光機類似，涂覆了光刻膠的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于eulitha公司擁有突破性的phable 曝光技術，在"phable"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，從而曝光出亞微米的線性光柵和二維光柵（六角形和正方形），且曝光結果非常均勻，質量很好。
更新時間:2025-12-17
英國hhv auto 306 科研工作者和電子顯微學家的多功能鍍膜設備，是一種多功能的緊湊型鍍膜設備，設計用于滿足科研工作者和電子顯微學家的需求。auto306可配備各種真空系統、真空腔室和標準化工藝附件，提供一系列實驗技術以滿足現代化實驗室的需要。
更新時間:2025-12-17
tf500/tf600 適合先進研發和試生產的全功能系統，系統配置可選擇多種腔室尺寸和工藝附件，以精確的符合用戶需求。這兩個型號的系統都可以安裝多個鍍膜源，也都支持離子束處理選項。有一系列預進樣室（load lock）和樣品操縱裝置可供選擇，以提高真空鍍膜效率。
更新時間:2025-12-17
ion 100wb-40q 德國 pva tepla 等離子去膠機，最新推出的具有高性價比的真空等離子去膠設備，配備了一個圓筒石英腔，特別適用于半導體、led、mems等領域的光刻膠灰化、打殘膠、氮化物刻蝕、表面清潔等應用的批次處理。
更新時間:2025-12-17
208hr高分辨離子濺射儀-適用于場發射掃描電鏡，可選擇多種鍍膜材料，精確的膜厚控制，樣品臺控制靈活，多個樣品座，樣品室幾何可變，寬范圍的操作壓力，緊湊、現代的桌上型設計，操作容易。
更新時間:2025-12-17
ksi v-octo 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統，該系統同時使用8只換能器，能最大限度的確保快速圖像采集和高效能。
更新時間:2025-12-17
日本jeol熱場發射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評的性能如高的空間分辨率、高穩定性、多種功能等的同時，操作性能大簡單化。該設備不依賴操作者的技能，始終能夠發揮其佳性能。
更新時間:2025-12-17
奧地利smartnil紫外納米壓印：evg7200，leds 制作，led pss納米壓印工藝，led納米透鏡陣列；微流體學；芯片實驗室；抗反射層； 納米壓印光柵； 蓮花效應；光子帶隙；光學及通訊：光晶體，激光器件；生物技術解決方案：醫藥分析，血液分析，細胞生長。
更新時間:2025-12-17
evg610是一款非常靈活的適用于研發和小批量試產的對準系統，可處理大200mm之內的各種規格的晶片。evg610支持各種標準的光刻工藝，例如：真空、軟、硬接觸和接近曝光；也支持其他特殊的應用，如鍵合對準、納米壓印光刻、微接觸印刷等。系統中的工具更換非常簡便快捷，每次更換都可在一分鐘之內完成，而不需要門的工程人員和培訓，非常適合大學、研究所的科研實驗和小批量生產。
更新時間:2025-12-17
奧地利evg鍵合機：evg510，是一款半自動晶圓鍵合系統，可以處理大200mm的晶圓，非常適合于研發和小批量生產。evg510提供了除上料和下料外的全自動工藝處理過程，并配備了業界公認的優異的加熱和壓力均勻性系統。evg510模塊化的鍵合腔室設計可用于150mm或200mm晶圓鍵合，并且其工藝菜單與evg其他更高系列的鍵合機相匹配，可以方便的實現從實驗線到量產線的工藝復制。
更新時間:2025-12-17
evg520is是一款設計用于小批量生產的半自動晶圓鍵合系統， 大硅片允許尺寸為200mm。集evg新技術及客戶反饋基礎上設計的evg520is，配備了evg公司的利吸盤設計---這種吸盤可以提供對稱的快速加熱和冷卻功能。evg520is的很多優勢特性，如獨立的上下盤加熱和高壓鍵合工藝、高度的材料和工藝靈活性等，都幫助客戶很好的實施鍵合研究和生產。
更新時間:2025-12-17
日本jeol熱場發射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評的性能如高的空間分辨率、高穩定性、多種功能等的同時，操作性能大簡單化。該設備不依賴操作者的技能，始終能夠發揮其佳性能。
更新時間:2025-12-17
日本jeol能譜儀jed-2300/2300f analysis station是以“圖像觀察和分析“ 為基本理念的tem/eds集成系統。通過與sem的馬達驅動樣品臺聯動使用，可以進行大范圍的觀察和分析。 eds通過檢測被電子束激發出的樣品特征x射線，確定樣品含有的元素及成分比，可以進行微區的點分析、線分析及面分析。
更新時間:2025-12-17
日本jeol掃描電子顯微鏡 jsm-it500，是jeol intouchscope系列的新機型。 從設定視野到生成報告，用于分析的軟件整合于一體，加快了作業速度！是一款無縫操作，使用更加方便的掃描電子顯微鏡。
更新時間:2025-12-17
日本jeol 熱場發射掃描電子顯微鏡 jsm-7200f，jsm-7200f的電子光學系統應用了日本電子旗艦機-jsm-7800f prime采用的浸沒式肖特基電子槍技術，標配了ttls系統（through-the-lens system），因此無論是在高/低加速電壓下，空間分辨率都比傳統機型有了很大的提升。
更新時間:2025-12-17
ure-2000/35a 型紫外單面光刻機,,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，全自動）和高校教學科研（可靠性好，演示方便）采用自動找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動分離對準間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進口（德國）直流汞燈，可調節光的能量密度。設備外形美觀精制，性能非常可靠，自動化程度很高，操作十分方便。
更新時間:2025-12-17
ure-2000/35 型紫外單面光刻機,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動化程度高）和高校教學科研（可靠性好，演示方便）采用自動找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動分離對準間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進口（德國）直流汞燈，可調節光的能量密度。設備外形美觀精制，性能非常可靠，自動化程度很高，操作十分方便。
更新時間:2025-12-17
ure-2000/35l 型紫外單面光刻機,曝光面積：100mm×100mm；分辨力：1.0 μm（膠厚 2.0 μm 的正膠，365nm 波長）
更新時間:2025-12-17
ure-2000/17 型紫外單面光刻機（臺式）,曝光面積：4 英寸,分辨力：1.5μm（膠厚 2 m 的正膠）,對準精度：±1μm
更新時間:2025-12-17
ure-2000/25 型紫外單面光刻機，曝光面積：4 英寸,分辨力：1 μm（膠厚 2 μm的正膠）,對準精度：± 0.8μm
更新時間:2025-12-17
ure-2000s/25 型紫外雙面光刻機，曝光面積：4 英寸，正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-12-17
ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機,曝光面積：6 英寸，對準精度：± 2μm （雙面,片厚 0.8mm），± 0.8μm （單面）
更新時間:2025-12-17
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機, 曝光面積：8 英寸, 曝光波長：365nm： 15mw/cm，405nm：15-30mw/cm2, 對準精度：±2 μm （雙面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （單面）
更新時間:2025-12-17
ure-2000s/25s 型雙面光刻機，曝光面積：4 英寸（或 6 英寸），正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-12-17
ure-2000s/35l（a）型紫外雙面光刻機，曝光面積：6 英寸，正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-12-17
ure-2000s/35l（b）型雙面光刻機, 曝光面積：4 英寸, 正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學 大倍數 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-12-17
ure-2000/30 型紫外單面光刻機,高倍率雙目雙視場顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時觀察對準過程，并提供 usb 輸出；既滿足高精度對準，又可用于檢測曝光結果，且曝光結果和方便存儲
更新時間:2025-12-17
ure-2000/35al 型紫外單面光刻機,曝光面積：150mm×150mm；分辨力：1.0μm（365nm 波長）,對準精度：≤±0.8μm
更新時間:2025-12-17
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