光學平臺產品及廠家
日本電子 jsm-7610fplus，用于納米科學的肖特基場發射掃描電子顯微鏡， 是款采用半浸沒式物鏡、擁有超高分辨率的場發射掃描電子顯heidelberg 海德堡 μmla桌面無掩模光刻機
更新時間:2025-12-17
dwl 66+激光光刻系統是具經濟效益的高分辨率圖像產生器, 具有多種直寫模塊，實現不同精度直寫需求, 能于結構上進行灰度曝光
更新時間:2025-12-17
德國海德堡 heidelberg 激光直寫光刻機 mla150,德國高精密激光直寫繪圖機,非接觸式曝光,可支持高效數位光刻與灰度光刻.
更新時間:2025-12-17
英國nanobean nb5 電子束光刻機,具有良好的穩定性，平均正常運行時間超過93%.
更新時間:2025-12-17
瑞典 mycronic 掩膜版光刻機 fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導體，tft-lcd，微電子等行業。
更新時間:2025-12-17
系統中集成了高精度的激光干涉工作臺，運動行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實現精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時間:2025-12-17
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺設計，對電子束直寫應用進行了優化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時間:2025-12-17
德國raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機,系統可實現8英寸樣品的高速曝光。系統的穩定性是非常關鍵的指標，可保證大面積均勻曝光。該系統外部采用環境屏蔽罩，即使在稍差的實驗室環境下，仍然能確保系統具有非常好的熱穩定性，提高系統對外界環境的容忍度。
更新時間:2025-12-17
raith 150 two可實現亞5nm的曝光結構，可處理8”晶元及以下樣片。環境屏蔽罩保證了系統的熱穩定性，提高設備對實驗室環境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環境下，也能保證系統的正常穩定運行。
更新時間:2025-12-17
raith 150 two可實現亞5nm的曝光結構，可處理8”晶元及以下樣片。環境屏蔽罩保證了系統的熱穩定性，提高設備對實驗室環境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環境下，也能保證系統的正常穩定運行。
更新時間:2025-12-17
phabler 100 紫外光刻機是一套低成本的光學曝光系統，但卻能獲得高分辨率的周期性結構。同傳統的紫外曝光機類似，涂覆了光刻膠的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于eulitha公司擁有突破性的phable 曝光技術，在"phable"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，從而曝光出亞微米的線性光柵和二維光柵（六角形和正方形），且曝光結果非常均勻，質量很好。
更新時間:2025-12-17
英國hhv auto 306 科研工作者和電子顯微學家的多功能鍍膜設備，是一種多功能的緊湊型鍍膜設備，設計用于滿足科研工作者和電子顯微學家的需求。auto306可配備各種真空系統、真空腔室和標準化工藝附件，提供一系列實驗技術以滿足現代化實驗室的需要。
更新時間:2025-12-17
tf500/tf600 適合先進研發和試生產的全功能系統，系統配置可選擇多種腔室尺寸和工藝附件，以精確的符合用戶需求。這兩個型號的系統都可以安裝多個鍍膜源，也都支持離子束處理選項。有一系列預進樣室（load lock）和樣品操縱裝置可供選擇，以提高真空鍍膜效率。
更新時間:2025-12-17
ion 100wb-40q 德國 pva tepla 等離子去膠機，最新推出的具有高性價比的真空等離子去膠設備，配備了一個圓筒石英腔，特別適用于半導體、led、mems等領域的光刻膠灰化、打殘膠、氮化物刻蝕、表面清潔等應用的批次處理。
更新時間:2025-12-17
208hr高分辨離子濺射儀-適用于場發射掃描電鏡，可選擇多種鍍膜材料，精確的膜厚控制，樣品臺控制靈活，多個樣品座，樣品室幾何可變，寬范圍的操作壓力，緊湊、現代的桌上型設計，操作容易。
更新時間:2025-12-17
ksi v-octo 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統，該系統同時使用8只換能器，能最大限度的確保快速圖像采集和高效能。
更新時間:2025-12-17
日本jeol熱場發射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評的性能如高的空間分辨率、高穩定性、多種功能等的同時，操作性能大簡單化。該設備不依賴操作者的技能，始終能夠發揮其佳性能。
更新時間:2025-12-17
奧地利smartnil紫外納米壓印：evg7200，leds 制作，led pss納米壓印工藝，led納米透鏡陣列；微流體學；芯片實驗室；抗反射層； 納米壓印光柵； 蓮花效應；光子帶隙；光學及通訊：光晶體，激光器件；生物技術解決方案：醫藥分析，血液分析，細胞生長。
更新時間:2025-12-17
evg610是一款非常靈活的適用于研發和小批量試產的對準系統，可處理大200mm之內的各種規格的晶片。evg610支持各種標準的光刻工藝，例如：真空、軟、硬接觸和接近曝光；也支持其他特殊的應用，如鍵合對準、納米壓印光刻、微接觸印刷等。系統中的工具更換非常簡便快捷，每次更換都可在一分鐘之內完成，而不需要門的工程人員和培訓，非常適合大學、研究所的科研實驗和小批量生產。
更新時間:2025-12-17
奧地利evg鍵合機：evg510，是一款半自動晶圓鍵合系統，可以處理大200mm的晶圓，非常適合于研發和小批量生產。evg510提供了除上料和下料外的全自動工藝處理過程，并配備了業界公認的優異的加熱和壓力均勻性系統。evg510模塊化的鍵合腔室設計可用于150mm或200mm晶圓鍵合，并且其工藝菜單與evg其他更高系列的鍵合機相匹配，可以方便的實現從實驗線到量產線的工藝復制。
更新時間:2025-12-17
evg520is是一款設計用于小批量生產的半自動晶圓鍵合系統， 大硅片允許尺寸為200mm。集evg新技術及客戶反饋基礎上設計的evg520is，配備了evg公司的利吸盤設計---這種吸盤可以提供對稱的快速加熱和冷卻功能。evg520is的很多優勢特性，如獨立的上下盤加熱和高壓鍵合工藝、高度的材料和工藝靈活性等，都幫助客戶很好的實施鍵合研究和生產。
更新時間:2025-12-17
日本jeol熱場發射掃描電子顯微鏡 jsm-7900f，它繼承了上一代廣獲好評的性能如高的空間分辨率、高穩定性、多種功能等的同時，操作性能大簡單化。該設備不依賴操作者的技能，始終能夠發揮其佳性能。
更新時間:2025-12-17
日本jeol能譜儀jed-2300/2300f analysis station是以“圖像觀察和分析“ 為基本理念的tem/eds集成系統。通過與sem的馬達驅動樣品臺聯動使用，可以進行大范圍的觀察和分析。 eds通過檢測被電子束激發出的樣品特征x射線，確定樣品含有的元素及成分比，可以進行微區的點分析、線分析及面分析。
更新時間:2025-12-17
日本jeol掃描電子顯微鏡 jsm-it500，是jeol intouchscope系列的新機型。 從設定視野到生成報告，用于分析的軟件整合于一體，加快了作業速度！是一款無縫操作，使用更加方便的掃描電子顯微鏡。
更新時間:2025-12-17
日本jeol 熱場發射掃描電子顯微鏡 jsm-7200f，jsm-7200f的電子光學系統應用了日本電子旗艦機-jsm-7800f prime采用的浸沒式肖特基電子槍技術，標配了ttls系統（through-the-lens system），因此無論是在高/低加速電壓下，空間分辨率都比傳統機型有了很大的提升。
更新時間:2025-12-17
ure-2000/35a 型紫外單面光刻機,,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，全自動）和高校教學科研（可靠性好，演示方便）采用自動找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動分離對準間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進口（德國）直流汞燈，可調節光的能量密度。設備外形美觀精制，性能非常可靠，自動化程度很高，操作十分方便。
更新時間:2025-12-17
ure-2000/35 型紫外單面光刻機,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動化程度高）和高校教學科研（可靠性好，演示方便）采用自動找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動分離對準間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進口（德國）直流汞燈，可調節光的能量密度。設備外形美觀精制，性能非常可靠，自動化程度很高，操作十分方便。
更新時間:2025-12-17
ure-2000/35l 型紫外單面光刻機,曝光面積：100mm×100mm；分辨力：1.0 μm（膠厚 2.0 μm 的正膠，365nm 波長）
更新時間:2025-12-17
ure-2000/17 型紫外單面光刻機（臺式）,曝光面積：4 英寸,分辨力：1.5μm（膠厚 2 m 的正膠）,對準精度：±1μm
更新時間:2025-12-17
ure-2000/25 型紫外單面光刻機，曝光面積：4 英寸,分辨力：1 μm（膠厚 2 μm的正膠）,對準精度：± 0.8μm
更新時間:2025-12-17
ure-2000s/25 型紫外雙面光刻機，曝光面積：4 英寸，正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-12-17
ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機,曝光面積：6 英寸，對準精度：± 2μm （雙面,片厚 0.8mm），± 0.8μm （單面）
更新時間:2025-12-17
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機, 曝光面積：8 英寸, 曝光波長：365nm： 15mw/cm，405nm：15-30mw/cm2, 對準精度：±2 μm （雙面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （單面）
更新時間:2025-12-17
ure-2000s/25s 型雙面光刻機，曝光面積：4 英寸（或 6 英寸），正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-12-17
ure-2000s/35l（a）型紫外雙面光刻機，曝光面積：6 英寸，正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-12-17
ure-2000s/35l（b）型雙面光刻機, 曝光面積：4 英寸, 正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學 大倍數 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-12-17
ure-2000/30 型紫外單面光刻機,高倍率雙目雙視場顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時觀察對準過程，并提供 usb 輸出；既滿足高精度對準，又可用于檢測曝光結果，且曝光結果和方便存儲
更新時間:2025-12-17
ure-2000/35al 型紫外單面光刻機,曝光面積：150mm×150mm；分辨力：1.0μm（365nm 波長）,對準精度：≤±0.8μm
更新時間:2025-12-17
美國 oai 光刻機 model 200 型桌面掩模對準器系統，完全手工操作，輸出光譜范圍:hg: g(436海里),h(405海里),i(365nm)和310nm線，hg-xe: 260nm和220nm或led: 365nm, 395nm, 405nm
更新時間:2025-12-17
oai model 212型桌面掩模對準系統, 輸出光譜范圍:hg: g(436nm),h(405nm),i(365nm)和310nm,hg-xe: 260 nm和220 nm或led:365 nm、395 nm和405 nm
更新時間:2025-12-17
oai model 800e 型掩模對準系統，各種光譜范圍選項:hg燈:g(436nm),h(405nm)， i(365nm)和310nm線，hg-xe燈:260nm和220nm
更新時間:2025-12-17
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