其他產(chǎn)品及廠家
pvi-4te系列是基于復(fù)雜的hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具有的性能和穩(wěn)定性，同時(shí)采用光學(xué)浸入來改善器件的參數(shù)。探測(cè)器在λopt時(shí)具有他本身的z佳性能。起始波長(zhǎng)可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍以及高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。
更新時(shí)間:2025-12-15
產(chǎn)品總覽nipm-i-5是一款專為差分光信號(hào)檢測(cè)而設(shè)計(jì)的紅外檢測(cè)模塊。該設(shè)備可以在平衡和自動(dòng)平衡模式下運(yùn)行。該檢測(cè)模塊使用兩個(gè)基于 hgcdte 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的獨(dú)立檢測(cè)器。這些 ir 檢測(cè)器（信號(hào)和參考）精確匹配，以實(shí)現(xiàn)非常高的共模抑制比 (cmrr)。 nipm-i-5 專用于在激光的過量噪聲超過檢測(cè)器的基本噪聲的系統(tǒng)中運(yùn)行。
更新時(shí)間:2025-12-15
產(chǎn)品總覽labm-i-5是一種檢測(cè)模塊，其特征是基于hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)（pvi-2te-5-1×1-to8-wal2o3-36）的te冷卻、光學(xué)浸沒光伏紅外探測(cè)器，與可編程跨阻抗放大器（pip系列）集成。為了正常運(yùn)行，需要可編程的vigo熱電冷卻器控制器ptcc-01（單獨(dú)出售）和smart manager軟件（免費(fèi)軟件）。
更新時(shí)間:2025-12-15
產(chǎn)品總覽um-i-6是一款通用的一體化紅外檢測(cè)模塊。它是基于碲鎘汞異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱電冷卻光浸沒光伏探測(cè)器，在緊湊的外殼中集成了跨阻、直流耦合前置放大器、風(fēng)扇和熱電冷卻器控制器。3 °楔形硒化鋅增透涂層窗戶防止不必要的干擾效果。um-i-6檢測(cè)模塊是非常方便和用戶友好的設(shè)備，因此可以很容易地用于各種mwir應(yīng)用。
更新時(shí)間:2025-12-15
pci系列是基于復(fù)雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，通過光學(xué)浸沒來改善器件的參數(shù)，具有的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt時(shí)工作性能佳。截止波長(zhǎng)受gaas透過率(~0.9μm)的限制。此設(shè)備應(yīng)該在的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時(shí)探測(cè)器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長(zhǎng)增大而增大。
更新時(shí)間:2025-12-15
190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測(cè)器筱曉光子的硅基放大光電探測(cè)器感光范圍覆蓋190nm~1100nm，可實(shí)現(xiàn)定量光電轉(zhuǎn)換，動(dòng)態(tài)范圍寬，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景，性能，性價(jià)比高，提供quan方位技術(shù)支持，常應(yīng)用于紫外與可見光測(cè)量。
更新時(shí)間:2025-12-15
800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器--紅外延伸我們的銦鎵砷探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋800nm~1700nm， 常用于 近紅外光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量化光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛
更新時(shí)間:2025-12-15
320-1000nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div>
更新時(shí)間:2025-12-15
320-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div>
更新時(shí)間:2025-12-15
太赫茲相機(jī)(0.05-0.7thz 64x64)|材料檢測(cè)我們開發(fā)出一種用于制造新一代太赫茲成像半導(dǎo)體探測(cè)器陣列的技術(shù)。該探測(cè)器可在室溫環(huán)境下工作，其陣列像素?cái)?shù)量具備可擴(kuò)展性。公司正于為科研與工業(yè)領(lǐng)域開發(fā)靈活的太赫茲成像解決方案。
更新時(shí)間:2025-12-15
太赫茲非球面平凸聚光透鏡(ptfe 聚四氟乙烯)作為現(xiàn)成的太赫茲成像解決方案的一部分，我們提供工作在 thz 頻段的 tpx 和 ptfe 透鏡及光學(xué)系統(tǒng)。塑料平凸透鏡由聚四氟乙烯（純白 ptfe，teflon?）制成，其介電常數(shù)較低，在 520 ghz 時(shí)約為 1.96，折射率為 1.4。
更新時(shí)間:2025-12-15
2.5-6.5um mct中紅外非制冷光電探測(cè)器 pvi系列pvi系列是基于復(fù)雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒的方式提高器件的性能參數(shù)，使其具有的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時(shí)達(dá)到它本身能達(dá)到的的z佳性能。
更新時(shí)間:2025-12-15
光譜響應(yīng)范圍 800-1600nm，速度 1.25gbps，帶tia，5pin腳
更新時(shí)間:2025-12-15
800~1700nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛；索雷博thorlabs同款 ，無(wú)縫兼容；性能 ，高性價(jià)比 ，quan方位技術(shù)支持； 提供非標(biāo)定制服務(wù)。
更新時(shí)間:2025-12-15
光譜響應(yīng)范圍0.9~1.7μm；響應(yīng)度 @1550nm: 0.85 a/w; 6針to8 封裝；smf-28e 光纖耦合；fc/apc, 帶 tce
更新時(shí)間:2025-12-15
感光面積：0.2mm2 感光直徑：0.5mm 擊穿電壓：225v 結(jié)電容：1.6pf 暗電流：15na 增益：150 噪聲電流：0.23pa/√hz 封裝：to-18，平面窗口 峰值靈敏度波長(zhǎng)：830 nm 響應(yīng)時(shí)間： 響應(yīng)度： 在830 nm為77 a/w 在900 nm處為65 a/w 上升/下降時(shí)間：0.5ns 溫度系數(shù)：0.7v/°c 波長(zhǎng)：400-1100nm
更新時(shí)間:2025-12-15
光譜響應(yīng)范圍：400-1100nm 峰值響應(yīng)波長(zhǎng)：905nm 光敏面直徑：0.5mm 封裝：lcc3
更新時(shí)間:2025-12-15
320～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛；索雷博thorlabs同款 ，無(wú)縫兼容；性能 ，高性價(jià)比 ，quan方位技術(shù)支持； 提供非標(biāo)定制服務(wù)。
更新時(shí)間:2025-12-15
光譜范圍350-100nm,響應(yīng)度:(a/w)0.65@970nm, 有效面積(5.1mm2),封裝形式30 / to-5
更新時(shí)間:2025-12-15
800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器--紅外延伸我們的銦鎵砷探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋800nm~1700nm， 常用于 近紅外光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量化光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛；
更新時(shí)間:2025-12-15
上升時(shí)間：＜30ps 帶寬：＞10ghz 光譜響應(yīng)范圍：320-900nm 量子效率@peak：40% 光敏面大小：200×200 / 0.04um/mm2 nep：3.0 × 10-15(w/√hz) 暗電流：0.1na 材料：gaas 輸入方式：空間光輸入 rf信號(hào)輸出：sma
更新時(shí)間:2025-12-15
產(chǎn)品總覽pva系列是基于inas1-xsbx合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合rohs指標(biāo)要求
更新時(shí)間:2025-12-15
光譜響應(yīng)范圍 800-1800nm；光敏面直徑 10mm；響應(yīng)度@1550nm 0.85 a/w； 光敏材料 ge；2pin腳
更新時(shí)間:2025-12-15
光譜響應(yīng)范圍 800-1800nm，直徑 5mm，響應(yīng)度@1550nm 0.85 a/w，2pin腳
更新時(shí)間:2025-12-15
上升時(shí)間：＜200ps 帶寬：＞0.3ghz 光譜響應(yīng)范圍：800-2600nm 量子效率@peak：70% 光敏面大小：300/0.07um/mm2 nep：7× 10-13(w/√hz) 暗電流：2000na 材料：ingaas 輸入方式：空間光輸入 rf信號(hào)輸出：bnc
更新時(shí)間:2025-12-15
alphalas upd系列自由空間入射超快光電探測(cè)器系列適合用于從直流到25ghz的空間光波形的測(cè)量。可提供檢測(cè)最短為15ps上升時(shí)間的光脈沖信號(hào)，覆蓋從170至2600nm的光譜范圍。所有探測(cè)器都由緊湊堅(jiān)實(shí)的過氧極化鋁外殼封裝，供電方式可以采用電池或外接電源。是可提供從170到1100 nm擴(kuò)展到紫外光譜范圍高速硅探測(cè)器商業(yè)產(chǎn)品。
更新時(shí)間:2025-12-15
產(chǎn)品總覽筱曉光子公司代理美國(guó)的eot(electro-optics technology)公司全線產(chǎn)品eot 的<10 ghz 光電探測(cè)器包含 pin 光電二極管，利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。
更新時(shí)間:2025-12-15
350～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛；索雷博thorlabs同款 ，無(wú)縫兼容；性能 ，高性價(jià)比 ，quan方位技術(shù)支持； 提供非標(biāo)定制服務(wù)。
更新時(shí)間:2025-12-15
mir qwip是基于的qwip技術(shù)而研發(fā)的一款超快速中紅外探測(cè)器。它的響應(yīng)速度高達(dá)數(shù)十ghz，是市場(chǎng)上最快的檢測(cè)器。它是表征qcl頻率梳、構(gòu)建外差儀器、開發(fā)中紅外高帶寬光學(xué)通信鏈路的完quan工具。qwip的技術(shù)是卡洛·瑟托里教授在pierre aigrain實(shí)驗(yàn)室研發(fā)的。我們對(duì)包裝和設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化，以適應(yīng)低溫下的超高速運(yùn)行。
更新時(shí)間:2025-12-15
平均輸出功率 1 w 大脈沖能量 1 ... 20 mj 脈沖持續(xù)時(shí)間(fwhm) 3...8 ns 波長(zhǎng)(中心) 1064nm
更新時(shí)間:2025-12-15
纖芯數(shù)量:7芯 纖芯直徑：2.1 ± 0.3 μm 裸纖直徑：150 ± 3 μm 涂敷層直徑：250 ± 3 μm（丙烯酸酯） 數(shù)值孔徑：0.48 ± 0.05
更新時(shí)間:2025-12-15
光纖數(shù)量6*5，共30路，矩形排列，光纖間距1mm，間距誤差小于20um，角度誤差小于20mrad，單模光纖，，30根光纖用smf-28e，fc/apc連接器
更新時(shí)間:2025-12-15
鍍銀涂層中空光纖 包層材料：塑料 內(nèi)徑尺寸：1500um 脈沖能量：100mj@532nm,5ns 大平均功率：30w
更新時(shí)間:2025-12-15
數(shù)值孔徑 0.22±0.02；芯徑 375×375±5um；包層直徑 660±5um；涂覆直徑 960±20um ,580/米
更新時(shí)間:2025-12-15
筱曉光束傳輸光纖是階躍型折射率分布的多模光纖，采用高純合成二氧化硅玻璃纖芯和摻氟二氧化硅玻璃包層，光纖具有低損耗，高激光損傷閾值，高機(jī)械強(qiáng)度等特點(diǎn)。較大的數(shù)值孔徑大大提高光纖的耦合效率和抗彎能力。產(chǎn)品采用嚴(yán)格的光纖拉絲工藝和高性能光纖涂層，具有良好的可靠性、一致性與穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于材料加工、科學(xué)研究和醫(yī)療等領(lǐng)域，能quan面滿足各類客戶對(duì)激光傳輸?shù)囊蟆?/div>
更新時(shí)間:2025-12-15
optran? uv ncc, optran? wf ncc二氧化硅 非圓 芯徑光纖ceramoptec?提供矩形、方形、八角形和其他纖芯/包層幾何形狀的光纖，與我們的uv/wv系列光纖相比，具有更多優(yōu)勢(shì)。
更新時(shí)間:2025-12-15
coherent/nufern公司uhna超高數(shù)值孔徑單模光纖是連接高數(shù)值孔徑光波導(dǎo)和低數(shù)值孔徑傳輸光纖的理想橋接光纖，一方面uhna光纖和其他高數(shù)值孔徑光纖（波導(dǎo)）具有很高的耦合效率，另一方面，uhna光纖的成分組和使得uhna光纖和普通傳輸光纖熔接時(shí)纖芯熱擴(kuò)束，從而保證uhna和低數(shù)值孔徑傳輸光纖的低損耗的熔接。
更新時(shí)間:2025-12-15
波長(zhǎng) optran®uvwfs 200–2000nm 數(shù)值孔徑 (na):低 0,12 ± 0,02, 標(biāo)準(zhǔn) 0,22 ± 0,02,高 0,28 ± 0,02
更新時(shí)間:2025-12-15
optran? uv nss是為短波紫外線光譜范圍提供的一款新產(chǎn)品，高抗日曬能力和超qiang穩(wěn)定性使其具有廣泛的應(yīng)用前景。
更新時(shí)間:2025-12-15
鍍鋁階躍折射率多模光纖ixf-sm 系列包含專為極端溫度和 / 或低至中等輻射水平的惡劣環(huán)境設(shè)計(jì)的單模光纖。我們提供多種聚合物和金屬涂層 , 非常適合高溫應(yīng)用場(chǎng)景。 鋁涂層光纖具有寬泛的工作溫度范圍 ，從低溫環(huán)境到 + 400°c 均可適用 ，且具備氫密封性 ，能在富氫環(huán)境中減輕氫致暗化現(xiàn)象。
更新時(shí)間:2025-12-15
稀土ho鈥/pr鐠摻雜 zblan雙包層氟化物裸光纖zblan光纖是由zrf4、baf2、laf3、alf3和naf等重金屬氟化物組成的復(fù)合玻璃光纖。與廣泛應(yīng)用的石英光纖相比，zblan光纖具有傳輸波長(zhǎng)范圍寬（0.35μm~4μm）和摻雜稀土離子發(fā)射效率高等特點(diǎn)。
更新時(shí)間:2025-12-15
產(chǎn)品總覽780-hp高性能選擇截止波長(zhǎng)單模光纖是針對(duì)近紅外光進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)的特種單模光纖，用來滿足光纖耦合器制作，半導(dǎo)體激光器尾纖以及近紅外連續(xù)譜傳輸?shù)忍囟ǖ男枰取?/div>
更新時(shí)間:2025-12-15
纖芯吸收 85 db/m@915nm ,模場(chǎng)直徑30.0 ± 0.5,截止波長(zhǎng):880 ± 80nm 包層直徑:250 ± 5.0um,400 ± 15um
更新時(shí)間:2025-12-15
產(chǎn)品總覽這種雙包層光纖具有高吸收和低光暗化特性。在各種材料加工應(yīng)用中顯示出優(yōu)良的特性。這種光纖提供了高雙折射，是設(shè)計(jì)脈沖光纖激光器和放大器的理想選擇。
更新時(shí)間:2025-12-15
產(chǎn)品總覽coractive公司生產(chǎn)的dcf-ey-10/128-pm是鉺鐿纖維共摻的雙包層保偏光纖，不僅可以擁有較高的摻雜濃度和高效的能量轉(zhuǎn)移，還可以降低所需的泵功率，由于這種配比的極化性能保持光纖具有高效率和的光束質(zhì)量，因此非常適合設(shè)計(jì)用于各種市場(chǎng)的低功耗光纖激光器和放大器，如激光雷達(dá)。
更新時(shí)間:2025-12-15
工作波長(zhǎng):1030-1100nm,數(shù)值孔徑:0.14-0.17,包層直徑:125 ±1 μm,涂層直徑(245 ± 7um)
更新時(shí)間:2025-12-15
纖芯直徑:10.0 ± 1.0um,包層直徑125125 ± 2um,1200 nm時(shí)的纖芯背景損耗，≤ 25db/km
更新時(shí)間:2025-12-15
數(shù)值孔徑 0.15~0.20；纖芯/包層直徑（μm）90~600 / 150~680；典型損耗(db/km) ＜10@2.5μm；短期彎曲半徑≥15~70mm；長(zhǎng)期彎曲半徑 ≥45~150mm
更新時(shí)間:2025-12-15
吸收峰值在1530nm的范圍72-88db/m；截止波長(zhǎng)1250±150nm；纖芯數(shù)值孔徑 0.13； 模場(chǎng)直徑 8.7 - 10.3μm @1550nm；包層直徑 123-127μm
更新時(shí)間:2025-12-15
最新產(chǎn)品
- 上海祥樹優(yōu)勢(shì)供應(yīng) ZIMMER備件 2025/12/17 0:35:19
- 上海祥樹優(yōu)勢(shì)供應(yīng) ZIMMER備件 2025/12/17 0:34:19
- 上海祥樹優(yōu)勢(shì)供應(yīng) ZIMMER備件 2025/12/17 0:33:19
- 上海祥樹優(yōu)勢(shì)供應(yīng) ZIMMER備件 2025/12/17 0:32:19
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- 上海祥樹優(yōu)勢(shì)供應(yīng) ZIMMER備件 2025/12/17 0:28:19
- 上海祥樹優(yōu)勢(shì)供應(yīng) ZIMMER備件 2025/12/17 0:26:19
- 上海祥樹優(yōu)勢(shì)供應(yīng) ZIMMER備件 2025/12/17 0:25:19
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- 上海祥樹優(yōu)勢(shì)供應(yīng) ZIMMER備件 2025/12/17 0:22:18
- 上海祥樹優(yōu)勢(shì)供應(yīng) ZIMMER備件 2025/12/17 0:21:18
- 上海祥樹優(yōu)勢(shì)供應(yīng) ZIMMER備件 2025/12/17 0:20:18
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- 上海祥樹優(yōu)勢(shì)供應(yīng) ZIMMER備件 2025/12/17 0:17:18
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- 上海祥樹優(yōu)勢(shì)供應(yīng) ZIMMER備件 2025/12/17 0:15:18
- 上海祥樹優(yōu)勢(shì)供應(yīng) ZIMMER備件 2025/12/17 0:13:18
- 上海祥樹優(yōu)勢(shì)供應(yīng) ZIMMER備件 2025/12/17 0:12:18
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