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其他產(chǎn)品及廠家

用于 100 GHz 太赫茲源的可拆卸錐形喇叭天線
用于 100 ghz 太赫茲源的可拆卸錐形喇叭天線我們提供多種型號的太赫茲和亞太赫茲源（impatt 二極管）。每種太赫茲源均可選擇搭配相應的 wr 輸出法蘭或剛性固定的錐形喇叭天線。可拆卸喇叭天線是可選的附加元件，可連接到相應的 wr 輸出法蘭。
更新時間:2025-12-15
高速短波紅外高光譜相機(1000-2500nm)
高速短波紅外高光譜相機(1000-2500nm)這是一款在 1000–2500 nm 范圍內(nèi)工作的高速短波紅外高光譜相機。它具有 384 個空間像素，使用 cameralink 連接可實現(xiàn)高達每秒 400 幀的圖像速率。
更新時間:2025-12-15
快速推掃型高光譜相機(980-1730nm)
快速推掃型高光譜相機(980-1730nm)這是一款在近紅外光譜范圍 (980-1730 nm) 內(nèi)工作的快速推掃型高光譜相機，能夠識別傳送帶和自由落體式檢測系統(tǒng)上人眼難以分辨的高速移動物體。它是一款強大而的在線分選、檢驗和質(zhì)量控制工具，可在大規(guī)模生產(chǎn)中提供的性價比。
更新時間:2025-12-15
定制紫外工業(yè)復消色差物鏡(220-900nm)
定制紫外工業(yè)復消色差物鏡(220-900nm)的紫外響應特性，可以在220nm-900nm波段內(nèi)保持70％以上的透過率，滿足多種使用需求;使用可見光對焦完成之后，在紫外區(qū)域無需重新對焦。復消色差設計，紫外和可見光成像清晰明銳，可以保持非常小的像失真；長工作距離物鏡，可以使用于同軸觀察系統(tǒng)或激光導入光學系統(tǒng)等
更新時間:2025-12-15
UV平場復消色差物鏡(266-500nm 10x)
uv平場復消色差物鏡(266-500nm 10x)該物鏡采用了設計的m plan uv鏡頭，提高了分辨率。這個物鏡刻有類別、放大率、數(shù)值孔徑、數(shù)字（說明用于無蓋玻片的樣品成像）和指出放大倍數(shù)的有效套筒透鏡焦距。
更新時間:2025-12-15
線掃描式高光譜相機(900-1700nm)
線掃描式高光譜相機(900-1700nm)這款相機專為工業(yè)和實驗室使用而設計，并采用線掃描模式工作，可用于收集近紅外 nir 區(qū)域（900 至 1700 nm）的高光譜數(shù)據(jù)。
更新時間:2025-12-15
線掃描式高光譜相機(2700-5300nm)
線掃描式高光譜相機(2700-5300nm)這是專為工業(yè)環(huán)境設計的高速、、穩(wěn)定的高光譜相機。它采用線掃描模式工作，可用于收集中波紅外 (mwir) 區(qū)域 (2.7-5.3 μm) 的高光譜數(shù)據(jù)。
更新時間:2025-12-15
緊湊型高性能CCD光譜儀(200-1050nm 分辨率0.5nm)
緊湊型高性能ccd光譜儀(200-1050nm 分辨率0.5nm)這是一款線陣 ccd 陣列光譜儀，采用低雜散光光學平臺，專為紫外（uv）與近紅外（nir）性能優(yōu)化設計。該設備具備 2048 元探測器、內(nèi)置 16 位數(shù)字化儀、usb 2.0 接口（讀取速度＞2.0 mhz）及外部觸發(fā)功能。
更新時間:2025-12-15
線掃描式高光譜相機(400-1000nm)
線掃描式高光譜相機(400-1000nm)高光譜相機專為工業(yè)和實驗室使用而設計。高光譜相機采用線掃描模式工作，可用于收集可見光和近紅外 (vnir) 區(qū)域 (400-1000 nm) 的光譜數(shù)據(jù)，經(jīng)過色彩優(yōu)化的高光譜相機可用于收集 400-780 nm 范圍內(nèi)的光譜數(shù)據(jù)。
更新時間:2025-12-15
3.0-12.0um 超高速MCT光浸式紅外光伏探測模塊
產(chǎn)品總覽uhsm-i-10.6是一款超高速單對紅外檢測模塊。它是基于mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱電冷卻光浸沒式光伏探測器，在緊湊的外殼中集成了跨阻、交流耦合前置放大器、風扇和熱電冷卻控制器。3 °楔形硒化鋅增透涂層(wznsear)窗可防止不必要的干擾效應。
更新時間:2025-12-15
2-12um MCT中紅外四級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-4TE系列
pvi-4te系列是基于復雜的hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級熱電冷卻紅外光電探測器，具有的性能和穩(wěn)定性，同時采用光學浸入來改善器件的參數(shù)。探測器在λopt時具有他本身的z佳性能。起始波長可根據(jù)需要進行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應速度和動態(tài)范圍以及高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。
更新時間:2025-12-15
2.9–5.5μm 碲鎘汞 MCT(HgCdTe) 平衡/自動平衡 紅外檢測模塊 1.8 MHz
產(chǎn)品總覽nipm-i-5是一款專為差分光信號檢測而設計的紅外檢測模塊。該設備可以在平衡和自動平衡模式下運行。該檢測模塊使用兩個基于 hgcdte 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的獨立檢測器。這些 ir 檢測器（信號和參考）精確匹配，以實現(xiàn)非常高的共模抑制比 (cmrr)。 nipm-i-5 專用于在激光的過量噪聲超過檢測器的基本噪聲的系統(tǒng)中運行。
更新時間:2025-12-15
2.7-5.6um DC-18MHz碲鎘汞可編程實驗室紅外檢測模塊(帶光浸式光伏探測器)
產(chǎn)品總覽labm-i-5是一種檢測模塊，其特征是基于hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)（pvi-2te-5-1×1-to8-wal2o3-36）的te冷卻、光學浸沒光伏紅外探測器，與可編程跨阻抗放大器（pip系列）集成。為了正常運行，需要可編程的vigo熱電冷卻器控制器ptcc-01（單獨出售）和smart manager軟件（免費軟件）。
更新時間:2025-12-15
碲鎘汞 MCT(HgCdTe)通用紅外檢測模塊 3.0–6.7μm DC–1 MHz
產(chǎn)品總覽um-i-6是一款通用的一體化紅外檢測模塊。它是基于碲鎘汞異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱電冷卻光浸沒光伏探測器，在緊湊的外殼中集成了跨阻、直流耦合前置放大器、風扇和熱電冷卻器控制器。3 °楔形硒化鋅增透涂層窗戶防止不必要的干擾效果。um-i-6檢測模塊是非常方便和用戶友好的設備，因此可以很容易地用于各種mwir應用。
更新時間:2025-12-15
1-12um 中紅外非冷卻光浸沒式MCT光電導探測器 PCI系列
pci系列是基于復雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外光電導探測器，通過光學浸沒來改善器件的參數(shù)，具有的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt時工作性能佳。截止波長受gaas透過率(~0.9μm)的限制。此設備應該在的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時探測器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長增大而增大。
更新時間:2025-12-15
190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測器
190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測器筱曉光子的硅基放大光電探測器感光范圍覆蓋190nm~1100nm，可實現(xiàn)定量光電轉(zhuǎn)換，動態(tài)范圍寬，適用于各種光電開發(fā)場景，性能，性價比高，提供quan方位技術(shù)支持，常應用于紫外與可見光測量。
更新時間:2025-12-15
800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器--紅外延伸
800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器--紅外延伸我們的銦鎵砷探測器 ，感光范圍覆蓋800nm~1700nm， 常用于 近紅外光測量；放大型探測器，8檔可調(diào)增益 ，定量化光電轉(zhuǎn)換；動態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場景 ，應用廣泛
更新時間:2025-12-15
320-1000nm放大型固定增益硅光電探測器
320-1000nm放大型固定增益硅光電探測器銦鎵砷雪崩光電探測器(apd)設計用于提供比標準pin探測器更強的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的apd之外，還提供具有可變增益(即m因子)和/或溫度補償?shù)陌姹尽?/div> 更新時間:2025-12-15
320-1100nm放大型固定增益硅光電探測器
320-1100nm放大型固定增益硅光電探測器銦鎵砷雪崩光電探測器(apd)設計用于提供比標準pin探測器更強的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的apd之外，還提供具有可變增益(即m因子)和/或溫度補償?shù)陌姹尽?/div> 更新時間:2025-12-15
太赫茲相機(0.05-0.7THz 64x64)|材料檢測
太赫茲相機(0.05-0.7thz 64x64)|材料檢測我們開發(fā)出一種用于制造新一代太赫茲成像半導體探測器陣列的技術(shù)。該探測器可在室溫環(huán)境下工作，其陣列像素數(shù)量具備可擴展性。公司正于為科研與工業(yè)領域開發(fā)靈活的太赫茲成像解決方案。
更新時間:2025-12-15
太赫茲非球面平凸聚光透鏡(PTFE 聚四氟乙烯)
太赫茲非球面平凸聚光透鏡(ptfe 聚四氟乙烯)作為現(xiàn)成的太赫茲成像解決方案的一部分，我們提供工作在 thz 頻段的 tpx 和 ptfe 透鏡及光學系統(tǒng)。塑料平凸透鏡由聚四氟乙烯（純白 ptfe，teflon?）制成，其介電常數(shù)較低，在 520 ghz 時約為 1.96，折射率為 1.4。
更新時間:2025-12-15
2.5-6.5um MCT中紅外非制冷光電探測器 PVI系列
2.5-6.5um mct中紅外非制冷光電探測器 pvi系列pvi系列是基于復雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測器，采用光學浸沒的方式提高器件的性能參數(shù)，使其具有的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時達到它本身能達到的的z佳性能。
更新時間:2025-12-15
InGaAs光電二管模塊 光譜響應800-1600nm
光譜響應范圍 800-1600nm，速度 1.25gbps，帶tia，5pin腳
更新時間:2025-12-15
800~1700nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器
800~1700nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器我們的硅探測器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測量；放大型探測器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場景 ，應用廣泛；索雷博thorlabs同款 ，無縫兼容；性能 ，高性價比 ，quan方位技術(shù)支持； 提供非標定制服務。
更新時間:2025-12-15
InGaAs蓋革模式雪崩光電二管 光譜響應0.9-1.7μm
光譜響應范圍0.9~1.7μm；響應度 @1550nm: 0.85 a/w; 6針to8 封裝；smf-28e 光纖耦合；fc/apc, 帶 tce
更新時間:2025-12-15
硅Si高性能雪崩光電二管 400-1000nm 感光直徑0.5mm 封裝TO-18
感光面積：0.2mm2 感光直徑：0.5mm 擊穿電壓：225v 結(jié)電容：1.6pf 暗電流：15na 增益：150 噪聲電流：0.23pa/√hz 封裝：to-18，平面窗口 峰值靈敏度波長：830 nm 響應時間： 響應度： 在830 nm為77 a/w 在900 nm處為65 a/w 上升/下降時間：0.5ns 溫度系數(shù)：0.7v/°c 波長：400-1100nm
更新時間:2025-12-15
硅Si雪崩光電二管 905nm 400-1100nm 光敏面直徑0.5mm
光譜響應范圍：400-1100nm 峰值響應波長：905nm 光敏面直徑：0.5mm 封裝：lcc3
更新時間:2025-12-15
320～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器
320～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器我們的硅探測器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測量；放大型探測器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場景 ，應用廣泛；索雷博thorlabs同款 ，無縫兼容；性能 ，高性價比 ，quan方位技術(shù)支持； 提供非標定制服務。
更新時間:2025-12-15
光電二管放大器混合器 350-1100nm/200-1100nm 封裝30/TO-5
光譜范圍350-100nm,響應度:(a/w)0.65@970nm, 有效面積(5.1mm2),封裝形式30 / to-5
更新時間:2025-12-15
800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器--紅外延伸
800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器--紅外延伸我們的銦鎵砷探測器 ，感光范圍覆蓋800nm~1700nm， 常用于 近紅外光測量；放大型探測器，8檔可調(diào)增益 ，定量化光電轉(zhuǎn)換；動態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場景 ，應用廣泛；
更新時間:2025-12-15
Alphalas UPD超快光電探測器320-900nm
上升時間：＜30ps 帶寬：＞10ghz 光譜響應范圍：320-900nm 量子效率@peak：40% 光敏面大小：200×200 / 0.04um/mm2 nep：3.0 × 10-15(w/√hz) 暗電流：0.1na 材料：gaas 輸入方式：空間光輸入 rf信號輸出：sma
更新時間:2025-12-15
InAsSb 紅外光伏探測器 非冷卻非浸沒 2.3um TO39
產(chǎn)品總覽pva系列是基于inas1-xsbx合金的非冷卻紅外光伏探測器。該設備具有高達300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機械耐用，且不含汞和鎘，符合rohs指標要求
更新時間:2025-12-15
Ge鍺超大光敏PIN光電二管 800-1800nm 直徑10mm
光譜響應范圍 800-1800nm；光敏面直徑 10mm；響應度@1550nm 0.85 a/w； 光敏材料 ge；2pin腳
更新時間:2025-12-15
Ge鍺大光敏PIN光電二管 800-1800nm 直徑5mm
光譜響應范圍 800-1800nm，直徑 5mm，響應度@1550nm 0.85 a/w，2pin腳
更新時間:2025-12-15
Alphalas UPD超快光電探測器（800-2600nm ，上升沿時間＜200ps ，InGaAs；Polished； glass）
上升時間：＜200ps 帶寬：＞0.3ghz 光譜響應范圍：800-2600nm 量子效率@peak：70% 光敏面大小：300/0.07um/mm2 nep：7× 10-13(w/√hz) 暗電流：2000na 材料：ingaas 輸入方式：空間光輸入 rf信號輸出：bnc
更新時間:2025-12-15
Alphalas UPD超快光電探測器（320-1100nm ＜300ps上升沿時間 Si >1GHz 拋光玻璃)
alphalas upd系列自由空間入射超快光電探測器系列適合用于從直流到25ghz的空間光波形的測量。可提供檢測最短為15ps上升時間的光脈沖信號，覆蓋從170至2600nm的光譜范圍。所有探測器都由緊湊堅實的過氧極化鋁外殼封裝，供電方式可以采用電池或外接電源。是可提供從170到1100 nm擴展到紫外光譜范圍高速硅探測器商業(yè)產(chǎn)品。
更新時間:2025-12-15
硅 Silicon ET-2070 - 硅光電探測器 >118 MHz 美國EOT
產(chǎn)品總覽筱曉光子公司代理美國的eot(electro-optics technology)公司全線產(chǎn)品eot 的<10 ghz 光電探測器包含 pin 光電二極管，利用光伏效應將光功率轉(zhuǎn)換為電流。
更新時間:2025-12-15
350～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器
350～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器我們的硅探測器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測量；放大型探測器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場景 ，應用廣泛；索雷博thorlabs同款 ，無縫兼容；性能 ，高性價比 ，quan方位技術(shù)支持； 提供非標定制服務。
更新時間:2025-12-15
數(shù)字集成光電二管 1kHz 高精度 低漂移
電源電壓(vs) 提供的usb:5v ,電源電流 正常工作(1khz) :90ma
更新時間:2025-12-15
5um 超快中紅外探測器 中紅外量子阱紅外探測器 QWIP
mir qwip是基于的qwip技術(shù)而研發(fā)的一款超快速中紅外探測器。它的響應速度高達數(shù)十ghz，是市場上最快的檢測器。它是表征qcl頻率梳、構(gòu)建外差儀器、開發(fā)中紅外高帶寬光學通信鏈路的完quan工具。qwip的技術(shù)是卡洛·瑟托里教授在pierre aigrain實驗室研發(fā)的。我們對包裝和設備進行了優(yōu)化，以適應低溫下的超高速運行。
更新時間:2025-12-15
微型納Nd:YAG毫焦激光頭 輸出功率1W 中心波長1064nm
平均輸出功率 1 w 大脈沖能量 1 ... 20 mj 脈沖持續(xù)時間(fwhm) 3...8 ns 波長(中心) 1064nm
更新時間:2025-12-15
7芯高純SiO2多芯微結(jié)構(gòu)光纖 纖芯直徑2.1±0.3μm 裸纖直徑 150±3μm
纖芯數(shù)量:7芯 纖芯直徑：2.1 ± 0.3 μm 裸纖直徑：150 ± 3 μm 涂敷層直徑：250 ± 3 μm（丙烯酸酯） 數(shù)值孔徑：0.48 ± 0.05
更新時間:2025-12-15
基于silica V-Groove 2D 光纖陣列定制 SMF-28E FC/APC連接
光纖數(shù)量6*5，共30路，矩形排列，光纖間距1mm，間距誤差小于20um，角度誤差小于20mrad，單模光纖，，30根光纖用smf-28e，fc/apc連接器
更新時間:2025-12-15
可見光近紅外中空光纖 內(nèi)徑尺寸1500um 平均功率30W
鍍銀涂層中空光纖 包層材料：塑料 內(nèi)徑尺寸：1500um 脈沖能量：100mj@532nm,5ns 大平均功率：30w
更新時間:2025-12-15
單能量勻化矩形纖芯激光傳輸光纖 芯徑375um 包層直徑660±5um
數(shù)值孔徑 0.22±0.02；芯徑 375×375±5um；包層直徑 660±5um；涂覆直徑 960±20um ,580/米
更新時間:2025-12-15
單包層泵浦能量傳輸多模光纖(摻氟玻璃包層 纖芯直徑200um 包層直徑220um)
筱曉光束傳輸光纖是階躍型折射率分布的多模光纖，采用高純合成二氧化硅玻璃纖芯和摻氟二氧化硅玻璃包層，光纖具有低損耗，高激光損傷閾值，高機械強度等特點。較大的數(shù)值孔徑大大提高光纖的耦合效率和抗彎能力。產(chǎn)品采用嚴格的光纖拉絲工藝和高性能光纖涂層，具有良好的可靠性、一致性與穩(wěn)定性，廣泛應用于材料加工、科學研究和醫(yī)療等領域，能quan面滿足各類客戶對激光傳輸?shù)囊蟆?/div> 更新時間:2025-12-15
二氧化硅非圓芯徑矩形勻化光纖 (Optran UV NCC WF RCT NA=0.20/0.48)
optran? uv ncc, optran? wf ncc二氧化硅 非圓 芯徑光纖ceramoptec?提供矩形、方形、八角形和其他纖芯/包層幾何形狀的光纖，與我們的uv/wv系列光纖相比，具有更多優(yōu)勢。
更新時間:2025-12-15
UHNA超高數(shù)值孔徑單模光纖 NA0.28
coherent/nufern公司uhna超高數(shù)值孔徑單模光纖是連接高數(shù)值孔徑光波導和低數(shù)值孔徑傳輸光纖的理想橋接光纖，一方面uhna光纖和其他高數(shù)值孔徑光纖（波導）具有很高的耦合效率，另一方面，uhna光纖的成分組和使得uhna光纖和普通傳輸光纖熔接時纖芯熱擴束，從而保證uhna和低數(shù)值孔徑傳輸光纖的低損耗的熔接。
更新時間:2025-12-15
200-2000nm 寬帶二氧化硅光纖 數(shù)值孔徑NA=0.12±0.02
波長 optran®uvwfs 200–2000nm 數(shù)值孔徑 (na):低 0,12 ± 0,02, 標準 0,22 ± 0,02,高 0,28 ± 0,02
更新時間:2025-12-15
Optran? UV NSS 碳層密封光纖 ,高抗日曬短波紫外 190–1200nm
optran? uv nss是為短波紫外線光譜范圍提供的一款新產(chǎn)品，高抗日曬能力和超qiang穩(wěn)定性使其具有廣泛的應用前景。
更新時間:2025-12-15

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