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其他產(chǎn)品及廠家

320-1100nm放大型固定增益硅光電探測器
320-1100nm放大型固定增益硅光電探測器銦鎵砷雪崩光電探測器(apd)設(shè)計用于提供比標準pin探測器更強的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的apd之外，還提供具有可變增益(即m因子)和/或溫度補償?shù)陌姹尽?/div> 更新時間:2025-12-15
太赫茲相機(0.05-0.7THz 64x64)|材料檢測
太赫茲相機(0.05-0.7thz 64x64)|材料檢測我們開發(fā)出一種用于制造新一代太赫茲成像半導體探測器陣列的技術(shù)。該探測器可在室溫環(huán)境下工作，其陣列像素數(shù)量具備可擴展性。公司正于為科研與工業(yè)領(lǐng)域開發(fā)靈活的太赫茲成像解決方案。
更新時間:2025-12-15
太赫茲非球面平凸聚光透鏡(PTFE 聚四氟乙烯)
太赫茲非球面平凸聚光透鏡(ptfe 聚四氟乙烯)作為現(xiàn)成的太赫茲成像解決方案的一部分，我們提供工作在 thz 頻段的 tpx 和 ptfe 透鏡及光學系統(tǒng)。塑料平凸透鏡由聚四氟乙烯（純白 ptfe，teflon?）制成，其介電常數(shù)較低，在 520 ghz 時約為 1.96，折射率為 1.4。
更新時間:2025-12-15
2.5-6.5um MCT中紅外非制冷光電探測器 PVI系列
2.5-6.5um mct中紅外非制冷光電探測器 pvi系列pvi系列是基于復雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測器，采用光學浸沒的方式提高器件的性能參數(shù)，使其具有的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時達到它本身能達到的的z佳性能。
更新時間:2025-12-15
InGaAs光電二管模塊 光譜響應800-1600nm
光譜響應范圍 800-1600nm，速度 1.25gbps，帶tia，5pin腳
更新時間:2025-12-15
800~1700nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器
800~1700nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器我們的硅探測器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測量；放大型探測器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場景 ，應用廣泛；索雷博thorlabs同款 ，無縫兼容；性能 ，高性價比 ，quan方位技術(shù)支持； 提供非標定制服務。
更新時間:2025-12-15
InGaAs蓋革模式雪崩光電二管 光譜響應0.9-1.7μm
光譜響應范圍0.9~1.7μm；響應度 @1550nm: 0.85 a/w; 6針to8 封裝；smf-28e 光纖耦合；fc/apc, 帶 tce
更新時間:2025-12-15
硅Si高性能雪崩光電二管 400-1000nm 感光直徑0.5mm 封裝TO-18
感光面積：0.2mm2 感光直徑：0.5mm 擊穿電壓：225v 結(jié)電容：1.6pf 暗電流：15na 增益：150 噪聲電流：0.23pa/√hz 封裝：to-18，平面窗口 峰值靈敏度波長：830 nm 響應時間： 響應度： 在830 nm為77 a/w 在900 nm處為65 a/w 上升/下降時間：0.5ns 溫度系數(shù)：0.7v/°c 波長：400-1100nm
更新時間:2025-12-15
硅Si雪崩光電二管 905nm 400-1100nm 光敏面直徑0.5mm
光譜響應范圍：400-1100nm 峰值響應波長：905nm 光敏面直徑：0.5mm 封裝：lcc3
更新時間:2025-12-15
320～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器
320～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器我們的硅探測器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測量；放大型探測器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場景 ，應用廣泛；索雷博thorlabs同款 ，無縫兼容；性能 ，高性價比 ，quan方位技術(shù)支持； 提供非標定制服務。
更新時間:2025-12-15
光電二管放大器混合器 350-1100nm/200-1100nm 封裝30/TO-5
光譜范圍350-100nm,響應度:(a/w)0.65@970nm, 有效面積(5.1mm2),封裝形式30 / to-5
更新時間:2025-12-15
800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器--紅外延伸
800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器--紅外延伸我們的銦鎵砷探測器 ，感光范圍覆蓋800nm~1700nm， 常用于 近紅外光測量；放大型探測器，8檔可調(diào)增益 ，定量化光電轉(zhuǎn)換；動態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場景 ，應用廣泛；
更新時間:2025-12-15
Alphalas UPD超快光電探測器320-900nm
上升時間：＜30ps 帶寬：＞10ghz 光譜響應范圍：320-900nm 量子效率@peak：40% 光敏面大小：200×200 / 0.04um/mm2 nep：3.0 × 10-15(w/√hz) 暗電流：0.1na 材料：gaas 輸入方式：空間光輸入 rf信號輸出：sma
更新時間:2025-12-15
InAsSb 紅外光伏探測器 非冷卻非浸沒 2.3um TO39
產(chǎn)品總覽pva系列是基于inas1-xsbx合金的非冷卻紅外光伏探測器。該設(shè)備具有高達300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機械耐用，且不含汞和鎘，符合rohs指標要求
更新時間:2025-12-15
Ge鍺超大光敏PIN光電二管 800-1800nm 直徑10mm
光譜響應范圍 800-1800nm；光敏面直徑 10mm；響應度@1550nm 0.85 a/w； 光敏材料 ge；2pin腳
更新時間:2025-12-15
Ge鍺大光敏PIN光電二管 800-1800nm 直徑5mm
光譜響應范圍 800-1800nm，直徑 5mm，響應度@1550nm 0.85 a/w，2pin腳
更新時間:2025-12-15
Alphalas UPD超快光電探測器（800-2600nm ，上升沿時間＜200ps ，InGaAs；Polished； glass）
上升時間：＜200ps 帶寬：＞0.3ghz 光譜響應范圍：800-2600nm 量子效率@peak：70% 光敏面大?。?00/0.07um/mm2 nep：7× 10-13(w/√hz) 暗電流：2000na 材料：ingaas 輸入方式：空間光輸入 rf信號輸出：bnc
更新時間:2025-12-15
Alphalas UPD超快光電探測器（320-1100nm ＜300ps上升沿時間 Si >1GHz 拋光玻璃)
alphalas upd系列自由空間入射超快光電探測器系列適合用于從直流到25ghz的空間光波形的測量?？商峁z測最短為15ps上升時間的光脈沖信號，覆蓋從170至2600nm的光譜范圍。所有探測器都由緊湊堅實的過氧極化鋁外殼封裝，供電方式可以采用電池或外接電源。是可提供從170到1100 nm擴展到紫外光譜范圍高速硅探測器商業(yè)產(chǎn)品。
更新時間:2025-12-15
硅 Silicon ET-2070 - 硅光電探測器 >118 MHz 美國EOT
產(chǎn)品總覽筱曉光子公司代理美國的eot(electro-optics technology)公司全線產(chǎn)品eot 的<10 ghz 光電探測器包含 pin 光電二極管，利用光伏效應將光功率轉(zhuǎn)換為電流。
更新時間:2025-12-15
350～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器
350～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器我們的硅探測器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測量；放大型探測器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場景 ，應用廣泛；索雷博thorlabs同款 ，無縫兼容；性能 ，高性價比 ，quan方位技術(shù)支持； 提供非標定制服務。
更新時間:2025-12-15
數(shù)字集成光電二管 1kHz 高精度 低漂移
電源電壓(vs) 提供的usb:5v ,電源電流 正常工作(1khz) :90ma
更新時間:2025-12-15
5um 超快中紅外探測器 中紅外量子阱紅外探測器 QWIP
mir qwip是基于的qwip技術(shù)而研發(fā)的一款超快速中紅外探測器。它的響應速度高達數(shù)十ghz，是市場上最快的檢測器。它是表征qcl頻率梳、構(gòu)建外差儀器、開發(fā)中紅外高帶寬光學通信鏈路的完quan工具。qwip的技術(shù)是卡洛·瑟托里教授在pierre aigrain實驗室研發(fā)的。我們對包裝和設(shè)備進行了優(yōu)化，以適應低溫下的超高速運行。
更新時間:2025-12-15
微型納Nd:YAG毫焦激光頭 輸出功率1W 中心波長1064nm
平均輸出功率 1 w 大脈沖能量 1 ... 20 mj 脈沖持續(xù)時間(fwhm) 3...8 ns 波長(中心) 1064nm
更新時間:2025-12-15
7芯高純SiO2多芯微結(jié)構(gòu)光纖 纖芯直徑2.1±0.3μm 裸纖直徑 150±3μm
纖芯數(shù)量:7芯 纖芯直徑：2.1 ± 0.3 μm 裸纖直徑：150 ± 3 μm 涂敷層直徑：250 ± 3 μm（丙烯酸酯） 數(shù)值孔徑：0.48 ± 0.05
更新時間:2025-12-15
基于silica V-Groove 2D 光纖陣列定制 SMF-28E FC/APC連接
光纖數(shù)量6*5，共30路，矩形排列，光纖間距1mm，間距誤差小于20um，角度誤差小于20mrad，單模光纖，，30根光纖用smf-28e，fc/apc連接器
更新時間:2025-12-15
可見光近紅外中空光纖 內(nèi)徑尺寸1500um 平均功率30W
鍍銀涂層中空光纖 包層材料：塑料 內(nèi)徑尺寸：1500um 脈沖能量：100mj@532nm,5ns 大平均功率：30w
更新時間:2025-12-15
單能量勻化矩形纖芯激光傳輸光纖 芯徑375um 包層直徑660±5um
數(shù)值孔徑 0.22±0.02；芯徑 375×375±5um；包層直徑 660±5um；涂覆直徑 960±20um ,580/米
更新時間:2025-12-15
單包層泵浦能量傳輸多模光纖(摻氟玻璃包層 纖芯直徑200um 包層直徑220um)
筱曉光束傳輸光纖是階躍型折射率分布的多模光纖，采用高純合成二氧化硅玻璃纖芯和摻氟二氧化硅玻璃包層，光纖具有低損耗，高激光損傷閾值，高機械強度等特點。較大的數(shù)值孔徑大大提高光纖的耦合效率和抗彎能力。產(chǎn)品采用嚴格的光纖拉絲工藝和高性能光纖涂層，具有良好的可靠性、一致性與穩(wěn)定性，廣泛應用于材料加工、科學研究和醫(yī)療等領(lǐng)域，能quan面滿足各類客戶對激光傳輸?shù)囊蟆?/div> 更新時間:2025-12-15
二氧化硅非圓芯徑矩形勻化光纖 (Optran UV NCC WF RCT NA=0.20/0.48)
optran? uv ncc, optran? wf ncc二氧化硅 非圓 芯徑光纖ceramoptec?提供矩形、方形、八角形和其他纖芯/包層幾何形狀的光纖，與我們的uv/wv系列光纖相比，具有更多優(yōu)勢。
更新時間:2025-12-15
UHNA超高數(shù)值孔徑單模光纖 NA0.28
coherent/nufern公司uhna超高數(shù)值孔徑單模光纖是連接高數(shù)值孔徑光波導和低數(shù)值孔徑傳輸光纖的理想橋接光纖，一方面uhna光纖和其他高數(shù)值孔徑光纖（波導）具有很高的耦合效率，另一方面，uhna光纖的成分組和使得uhna光纖和普通傳輸光纖熔接時纖芯熱擴束，從而保證uhna和低數(shù)值孔徑傳輸光纖的低損耗的熔接。
更新時間:2025-12-15
200-2000nm 寬帶二氧化硅光纖 數(shù)值孔徑NA=0.12±0.02
波長 optran®uvwfs 200–2000nm 數(shù)值孔徑 (na):低 0,12 ± 0,02, 標準 0,22 ± 0,02,高 0,28 ± 0,02
更新時間:2025-12-15
Optran? UV NSS 碳層密封光纖 ,高抗日曬短波紫外 190–1200nm
optran? uv nss是為短波紫外線光譜范圍提供的一款新產(chǎn)品，高抗日曬能力和超qiang穩(wěn)定性使其具有廣泛的應用前景。
更新時間:2025-12-15
鍍鋁階躍折射率多模光纖
鍍鋁階躍折射率多模光纖ixf-sm 系列包含專為極端溫度和 / 或低至中等輻射水平的惡劣環(huán)境設(shè)計的單模光纖。我們提供多種聚合物和金屬涂層 , 非常適合高溫應用場景。 鋁涂層光纖具有寬泛的工作溫度范圍 ，從低溫環(huán)境到 + 400°c 均可適用 ，且具備氫密封性 ，能在富氫環(huán)境中減輕氫致暗化現(xiàn)象。
更新時間:2025-12-15
稀土Ho鈥/Pr鐠摻雜 ZBLAN雙包層氟化物裸光纖
稀土ho鈥/pr鐠摻雜 zblan雙包層氟化物裸光纖zblan光纖是由zrf4、baf2、laf3、alf3和naf等重金屬氟化物組成的復合玻璃光纖。與廣泛應用的石英光纖相比，zblan光纖具有傳輸波長范圍寬（0.35μm~4μm）和摻雜稀土離子發(fā)射效率高等特點。
更新時間:2025-12-15
780-HP 單模光纖 780-970nm 4.4/125um
產(chǎn)品總覽780-hp高性能選擇截止波長單模光纖是針對近紅外光進行優(yōu)化設(shè)計的特種單模光纖，用來滿足光纖耦合器制作，半導體激光器尾纖以及近紅外連續(xù)譜傳輸?shù)忍囟ǖ男枰取?/div> 更新時間:2025-12-15
熊貓型保偏摻鐿光纖 纖芯吸收85dB/m 截止波長880±80nm
纖芯吸收 85 db/m@915nm ,模場直徑30.0 ± 0.5,截止波長:880 ± 80nm 包層直徑:250 ± 5.0um,400 ± 15um
更新時間:2025-12-15
摻鐿保偏雙包層光纖
產(chǎn)品總覽這種雙包層光纖具有高吸收和低光暗化特性。在各種材料加工應用中顯示出優(yōu)良的特性。這種光纖提供了高雙折射，是設(shè)計脈沖光纖激光器和放大器的理想選擇。
更新時間:2025-12-15
雙包層鉺鐿共摻保偏光纖 (CorActive 10±2um )
產(chǎn)品總覽coractive公司生產(chǎn)的dcf-ey-10/128-pm是鉺鐿纖維共摻的雙包層保偏光纖，不僅可以擁有較高的摻雜濃度和高效的能量轉(zhuǎn)移，還可以降低所需的泵功率，由于這種配比的極化性能保持光纖具有高效率和的光束質(zhì)量，因此非常適合設(shè)計用于各種市場的低功耗光纖激光器和放大器，如激光雷達。
更新時間:2025-12-15
單模摻鐿纖芯泵浦光纖 工作波長1030-1100nm 數(shù)值孔徑0.14-0.17
工作波長:1030-1100nm,數(shù)值孔徑:0.14-0.17,包層直徑:125 ±1 μm,涂層直徑(245 ± 7um)
更新時間:2025-12-15
大模場雙包層摻鐿光纖 纖芯直徑10.0±1.0um 損耗≤25dB/km
纖芯直徑:10.0 ± 1.0um,包層直徑125125 ± 2um,1200 nm時的纖芯背景損耗，≤ 25db/km
更新時間:2025-12-15
ZFG多模摻雜光纖 重金屬氟化物纖維光纖 0.04μm-4.5μm
數(shù)值孔徑 0.15~0.20；纖芯/包層直徑（μm）90~600 / 150~680；典型損耗(db/km) ＜10@2.5μm；短期彎曲半徑≥15~70mm；長期彎曲半徑 ≥45~150mm
更新時間:2025-12-15
高摻雜EDF摻鉺光纖 高摻雜鉺增益光纖 截止波長1250±150nm
吸收峰值在1530nm的范圍72-88db/m；截止波長1250±150nm；纖芯數(shù)值孔徑 0.13； 模場直徑 8.7 - 10.3μm @1550nm；包層直徑 123-127μm
更新時間:2025-12-15
LIEKKI? Yb1200-30/250DC 高摻雜大模場雙包層摻鐿光纖
liekki? yb1200-30/250 光纖是非常高摻雜的光纖，具有非常高的包層吸收和低光暗化損耗、每應用長度的高效率和非常高的光束質(zhì)量。這些光纖是高功率脈沖光纖放大器的理想選擇，其中短應用長度對于避免非線性效應至關(guān)重要。 liekki? yb1200-30/250 光纖可用作雙包層 (yb1200-30/250dc) 和雙包層保偏 (yb1200-30/250dc-pm) 光纖。
更新時間:2025-12-15
重金屬氟化物IFG單模摻雜光纖 (截止波長2.95um)
重金屬氟化物ifg單模摻雜光纖 (截止波長2.95um)ifg光纖重金屬氟化物組成的復合玻璃光纖。與廣泛應用的石英光纖相比，ifg光纖具有傳輸波長范圍寬0.3μm~5.5μm具有摻雜稀土離子發(fā)射效率高等特點。
更新時間:2025-12-15
1300nm 高摻雜EDF摻鉺光纖 吸收峰值37dB/m 模場直徑5.4±0.7μm
吸收峰值 37db/m@1532nm，250m光纖長度上的吸收峰值波動 ≤2.5 %，背景損耗 (min.[1100–1300 nm]) ≤ 6 db/km，彎曲敏感度(100 m, 15 mm彎曲半徑, λ< 1620 nm) ≤ 0.1 db，截至波長≤ 1300 nm，模場直徑1550 nm 5.4 ± 0.7 μm，數(shù)值孔徑:0.23 ± 0.02，熔接衰減: ≤ 0.2 db
更新時間:2025-12-15
SM600 630nm單模光纖 SMF
產(chǎn)品總覽單模光纖(single mode fiber, smf)是指在確切波長，只支持一個傳輸橫模的光纖（可容許兩個簡并的偏振態(tài)模）。單模光纖通常纖芯在10微米量級，纖芯和包層之間的折射率差很?。?1%)。
更新時間:2025-12-15
保偏摻鉺光纖 截止波長＜1300nm 纖芯吸收50.0±3.0dB/m
截止波長 ＜1300nm,纖芯吸收@1530nm :50.0±3.0 db/m,模場直徑@1550nm:5.0±1.0μm,內(nèi)包層直徑 125.0±1.0μm,涂覆層直徑 245.0±5.0μm
更新時間:2025-12-15
保偏摻鉺光纖 截止波長＜1300nm 涂覆層直徑245.0±5.0μm
截止波長 ＜1300nm,纖芯吸收@1530nm :40.0±3.0 db/m,模場直徑@1550nm:5.0±1.0μm,內(nèi)包層直徑 125.0±1.0μm,涂覆層直徑 245.0±5.0μm
更新時間:2025-12-15
摻鐠單模光纖 稀土摻雜 SMFF單模氟化物光纖 截止波長<950nm
纖芯數(shù)值孔徑0.25 +/- 0.01@1000nm；芯徑 2.1 +/- 0.5；截止波長 <950nm； 包層直徑 123±5 um ,涂覆層直徑 450±30um
更新時間:2025-12-15
雙包層氟化物光纖 芯徑2um 截止波長<2.5um 摻雜稀土元素
纖芯數(shù)值孔徑 0.21；芯徑 2um；截止波長 <2.5um； 摻雜稀土元素；涂覆層數(shù)值孔徑 0.5
更新時間:2025-12-15

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