其他產品及廠家
產品總覽uhsm-i-10.6是一款超高速單對紅外檢測模塊。它是基于mct異質結構的熱電冷卻光浸沒式光伏探測器，在緊湊的外殼中集成了跨阻、交流耦合前置放大器、風扇和熱電冷卻控制器。3 °楔形硒化鋅增透涂層(wznsear)窗可防止不必要的干擾效應。
更新時間:2025-12-15
pvi-4te系列是基于復雜的hgcdte異質結構的四級熱電冷卻紅外光電探測器，具有的性能和穩定性，同時采用光學浸入來改善器件的參數。探測器在λopt時具有他本身的z佳性能。起始波長可根據需要進行優化。反向偏置電壓可以顯著提高響應速度和動態范圍以及高頻下的性能，但偏置器件中出現的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。
更新時間:2025-12-15
產品總覽nipm-i-5是一款專為差分光信號檢測而設計的紅外檢測模塊。該設備可以在平衡和自動平衡模式下運行。該檢測模塊使用兩個基于 hgcdte 異質結構的獨立檢測器。這些 ir 檢測器（信號和參考）精確匹配，以實現非常高的共模抑制比 (cmrr)。 nipm-i-5 專用于在激光的過量噪聲超過檢測器的基本噪聲的系統中運行。
更新時間:2025-12-15
產品總覽labm-i-5是一種檢測模塊，其特征是基于hgcdte異質結構（pvi-2te-5-1×1-to8-wal2o3-36）的te冷卻、光學浸沒光伏紅外探測器，與可編程跨阻抗放大器（pip系列）集成。為了正常運行，需要可編程的vigo熱電冷卻器控制器ptcc-01（單獨出售）和smart manager軟件（免費軟件）。
更新時間:2025-12-15
產品總覽um-i-6是一款通用的一體化紅外檢測模塊。它是基于碲鎘汞異質結構的熱電冷卻光浸沒光伏探測器，在緊湊的外殼中集成了跨阻、直流耦合前置放大器、風扇和熱電冷卻器控制器。3 °楔形硒化鋅增透涂層窗戶防止不必要的干擾效果。um-i-6檢測模塊是非常方便和用戶友好的設備，因此可以很容易地用于各種mwir應用。
更新時間:2025-12-15
pci系列是基于復雜的mct異質結構的非冷卻紅外光電導探測器，通過光學浸沒來改善器件的參數，具有的性能和穩定性。探測器在λopt時工作性能佳。截止波長受gaas透過率(~0.9μm)的限制。此設備應該在的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時探測器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長增大而增大。
更新時間:2025-12-15
190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測器筱曉光子的硅基放大光電探測器感光范圍覆蓋190nm~1100nm，可實現定量光電轉換，動態范圍寬，適用于各種光電開發場景，性能，性價比高，提供quan方位技術支持，常應用于紫外與可見光測量。
更新時間:2025-12-15
800~2600nm放大型可調增益銦鎵砷光電探測器--紅外延伸我們的銦鎵砷探測器 ，感光范圍覆蓋800nm~1700nm， 常用于 近紅外光測量；放大型探測器，8檔可調增益 ，定量化光電轉換；動態范圍寬 ，適用于各種光電開發場景 ，應用廣泛
更新時間:2025-12-15
320-1000nm放大型固定增益硅光電探測器銦鎵砷雪崩光電探測器(apd)設計用于提供比標準pin探測器更強的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的apd之外，還提供具有可變增益(即m因子)和/或溫度補償的版本。
更新時間:2025-12-15
320-1100nm放大型固定增益硅光電探測器銦鎵砷雪崩光電探測器(apd)設計用于提供比標準pin探測器更強的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的apd之外，還提供具有可變增益(即m因子)和/或溫度補償的版本。
更新時間:2025-12-15
太赫茲相機(0.05-0.7thz 64x64)|材料檢測我們開發出一種用于制造新一代太赫茲成像半導體探測器陣列的技術。該探測器可在室溫環境下工作，其陣列像素數量具備可擴展性。公司正于為科研與工業領域開發靈活的太赫茲成像解決方案。
更新時間:2025-12-15
太赫茲非球面平凸聚光透鏡(ptfe 聚四氟乙烯)作為現成的太赫茲成像解決方案的一部分，我們提供工作在 thz 頻段的 tpx 和 ptfe 透鏡及光學系統。塑料平凸透鏡由聚四氟乙烯（純白 ptfe，teflon?）制成，其介電常數較低，在 520 ghz 時約為 1.96，折射率為 1.4。
更新時間:2025-12-15
2.5-6.5um mct中紅外非制冷光電探測器 pvi系列pvi系列是基于復雜的mct異質結構的非制冷紅外光電探測器，采用光學浸沒的方式提高器件的性能參數，使其具有的性能和穩定性。器件在λ_opt時達到它本身能達到的的z佳性能。
更新時間:2025-12-15
光譜響應范圍 800-1600nm，速度 1.25gbps，帶tia，5pin腳
更新時間:2025-12-15
800~1700nm放大型可調增益銦鎵砷光電探測器我們的硅探測器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測量；放大型探測器，8檔可調增益 ，定量光電轉換；動態范圍寬 ，適用于各種光電開發場景 ，應用廣泛；索雷博thorlabs同款 ，無縫兼容；性能 ，高性價比 ，quan方位技術支持； 提供非標定制服務。
更新時間:2025-12-15
光譜響應范圍0.9~1.7μm；響應度 @1550nm: 0.85 a/w; 6針to8 封裝；smf-28e 光纖耦合；fc/apc, 帶 tce
更新時間:2025-12-15
感光面積：0.2mm2 感光直徑：0.5mm 擊穿電壓：225v 結電容：1.6pf 暗電流：15na 增益：150 噪聲電流：0.23pa/√hz 封裝：to-18，平面窗口 峰值靈敏度波長：830 nm 響應時間： 響應度： 在830 nm為77 a/w 在900 nm處為65 a/w 上升/下降時間：0.5ns 溫度系數：0.7v/°c 波長：400-1100nm
更新時間:2025-12-15
光譜響應范圍：400-1100nm 峰值響應波長：905nm 光敏面直徑：0.5mm 封裝：lcc3
更新時間:2025-12-15
320～1100nm放大型可調增益硅光電探測器我們的硅探測器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測量；放大型探測器，8檔可調增益 ，定量光電轉換；動態范圍寬 ，適用于各種光電開發場景 ，應用廣泛；索雷博thorlabs同款 ，無縫兼容；性能 ，高性價比 ，quan方位技術支持； 提供非標定制服務。
更新時間:2025-12-15
光譜范圍350-100nm,響應度:(a/w)0.65@970nm, 有效面積(5.1mm2),封裝形式30 / to-5
更新時間:2025-12-15
800~2600nm放大型可調增益銦鎵砷光電探測器--紅外延伸我們的銦鎵砷探測器 ，感光范圍覆蓋800nm~1700nm， 常用于 近紅外光測量；放大型探測器，8檔可調增益 ，定量化光電轉換；動態范圍寬 ，適用于各種光電開發場景 ，應用廣泛；
更新時間:2025-12-15
上升時間：＜30ps 帶寬：＞10ghz 光譜響應范圍：320-900nm 量子效率@peak：40% 光敏面大小：200×200 / 0.04um/mm2 nep：3.0 × 10-15(w/√hz) 暗電流：0.1na 材料：gaas 輸入方式：空間光輸入 rf信號輸出：sma
更新時間:2025-12-15
產品總覽pva系列是基于inas1-xsbx合金的非冷卻紅外光伏探測器。該設備具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用，且不含汞和鎘，符合rohs指標要求
更新時間:2025-12-15
光譜響應范圍 800-1800nm；光敏面直徑 10mm；響應度@1550nm 0.85 a/w； 光敏材料 ge；2pin腳
更新時間:2025-12-15
光譜響應范圍 800-1800nm，直徑 5mm，響應度@1550nm 0.85 a/w，2pin腳
更新時間:2025-12-15
上升時間：＜200ps 帶寬：＞0.3ghz 光譜響應范圍：800-2600nm 量子效率@peak：70% 光敏面大小：300/0.07um/mm2 nep：7× 10-13(w/√hz) 暗電流：2000na 材料：ingaas 輸入方式：空間光輸入 rf信號輸出：bnc
更新時間:2025-12-15
alphalas upd系列自由空間入射超快光電探測器系列適合用于從直流到25ghz的空間光波形的測量。可提供檢測最短為15ps上升時間的光脈沖信號，覆蓋從170至2600nm的光譜范圍。所有探測器都由緊湊堅實的過氧極化鋁外殼封裝，供電方式可以采用電池或外接電源。是可提供從170到1100 nm擴展到紫外光譜范圍高速硅探測器商業產品。
更新時間:2025-12-15
產品總覽筱曉光子公司代理美國的eot(electro-optics technology)公司全線產品eot 的<10 ghz 光電探測器包含 pin 光電二極管，利用光伏效應將光功率轉換為電流。
更新時間:2025-12-15
350～1100nm放大型可調增益硅光電探測器我們的硅探測器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測量；放大型探測器，8檔可調增益 ，定量光電轉換；動態范圍寬 ，適用于各種光電開發場景 ，應用廣泛；索雷博thorlabs同款 ，無縫兼容；性能 ，高性價比 ，quan方位技術支持； 提供非標定制服務。
更新時間:2025-12-15
mir qwip是基于的qwip技術而研發的一款超快速中紅外探測器。它的響應速度高達數十ghz，是市場上最快的檢測器。它是表征qcl頻率梳、構建外差儀器、開發中紅外高帶寬光學通信鏈路的完quan工具。qwip的技術是卡洛·瑟托里教授在pierre aigrain實驗室研發的。我們對包裝和設備進行了優化，以適應低溫下的超高速運行。
更新時間:2025-12-15
平均輸出功率 1 w 大脈沖能量 1 ... 20 mj 脈沖持續時間(fwhm) 3...8 ns 波長(中心) 1064nm
更新時間:2025-12-15
纖芯數量:7芯 纖芯直徑：2.1 ± 0.3 μm 裸纖直徑：150 ± 3 μm 涂敷層直徑：250 ± 3 μm（丙烯酸酯） 數值孔徑：0.48 ± 0.05
更新時間:2025-12-15
光纖數量6*5，共30路，矩形排列，光纖間距1mm，間距誤差小于20um，角度誤差小于20mrad，單模光纖，，30根光纖用smf-28e，fc/apc連接器
更新時間:2025-12-15
鍍銀涂層中空光纖 包層材料：塑料 內徑尺寸：1500um 脈沖能量：100mj@532nm,5ns 大平均功率：30w
更新時間:2025-12-15
數值孔徑 0.22±0.02；芯徑 375×375±5um；包層直徑 660±5um；涂覆直徑 960±20um ,580/米
更新時間:2025-12-15
筱曉光束傳輸光纖是階躍型折射率分布的多模光纖，采用高純合成二氧化硅玻璃纖芯和摻氟二氧化硅玻璃包層，光纖具有低損耗，高激光損傷閾值，高機械強度等特點。較大的數值孔徑大大提高光纖的耦合效率和抗彎能力。產品采用嚴格的光纖拉絲工藝和高性能光纖涂層，具有良好的可靠性、一致性與穩定性，廣泛應用于材料加工、科學研究和醫療等領域，能quan面滿足各類客戶對激光傳輸的要求。
更新時間:2025-12-15
optran? uv ncc, optran? wf ncc二氧化硅 非圓 芯徑光纖ceramoptec?提供矩形、方形、八角形和其他纖芯/包層幾何形狀的光纖，與我們的uv/wv系列光纖相比，具有更多優勢。
更新時間:2025-12-15
coherent/nufern公司uhna超高數值孔徑單模光纖是連接高數值孔徑光波導和低數值孔徑傳輸光纖的理想橋接光纖，一方面uhna光纖和其他高數值孔徑光纖（波導）具有很高的耦合效率，另一方面，uhna光纖的成分組和使得uhna光纖和普通傳輸光纖熔接時纖芯熱擴束，從而保證uhna和低數值孔徑傳輸光纖的低損耗的熔接。
更新時間:2025-12-15
波長 optran®uvwfs 200–2000nm 數值孔徑 (na):低 0,12 ± 0,02, 標準 0,22 ± 0,02,高 0,28 ± 0,02
更新時間:2025-12-15
optran? uv nss是為短波紫外線光譜范圍提供的一款新產品，高抗日曬能力和超qiang穩定性使其具有廣泛的應用前景。
更新時間:2025-12-15
鍍鋁階躍折射率多模光纖ixf-sm 系列包含專為極端溫度和 / 或低至中等輻射水平的惡劣環境設計的單模光纖。我們提供多種聚合物和金屬涂層 , 非常適合高溫應用場景。 鋁涂層光纖具有寬泛的工作溫度范圍 ，從低溫環境到 + 400°c 均可適用 ，且具備氫密封性 ，能在富氫環境中減輕氫致暗化現象。
更新時間:2025-12-15
稀土ho鈥/pr鐠摻雜 zblan雙包層氟化物裸光纖zblan光纖是由zrf4、baf2、laf3、alf3和naf等重金屬氟化物組成的復合玻璃光纖。與廣泛應用的石英光纖相比，zblan光纖具有傳輸波長范圍寬（0.35μm~4μm）和摻雜稀土離子發射效率高等特點。
更新時間:2025-12-15
產品總覽780-hp高性能選擇截止波長單模光纖是針對近紅外光進行優化設計的特種單模光纖，用來滿足光纖耦合器制作，半導體激光器尾纖以及近紅外連續譜傳輸等特定的需要等。
更新時間:2025-12-15
纖芯吸收 85 db/m@915nm ,模場直徑30.0 ± 0.5,截止波長:880 ± 80nm 包層直徑:250 ± 5.0um,400 ± 15um
更新時間:2025-12-15
產品總覽這種雙包層光纖具有高吸收和低光暗化特性。在各種材料加工應用中顯示出優良的特性。這種光纖提供了高雙折射，是設計脈沖光纖激光器和放大器的理想選擇。
更新時間:2025-12-15
產品總覽coractive公司生產的dcf-ey-10/128-pm是鉺鐿纖維共摻的雙包層保偏光纖，不僅可以擁有較高的摻雜濃度和高效的能量轉移，還可以降低所需的泵功率，由于這種配比的極化性能保持光纖具有高效率和的光束質量，因此非常適合設計用于各種市場的低功耗光纖激光器和放大器，如激光雷達。
更新時間:2025-12-15
工作波長:1030-1100nm,數值孔徑:0.14-0.17,包層直徑:125 ±1 μm,涂層直徑(245 ± 7um)
更新時間:2025-12-15
纖芯直徑:10.0 ± 1.0um,包層直徑125125 ± 2um,1200 nm時的纖芯背景損耗，≤ 25db/km
更新時間:2025-12-15
數值孔徑 0.15~0.20；纖芯/包層直徑（μm）90~600 / 150~680；典型損耗(db/km) ＜10@2.5μm；短期彎曲半徑≥15~70mm；長期彎曲半徑 ≥45~150mm
更新時間:2025-12-15
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