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其他產(chǎn)品及廠家

線掃描式高光譜相機(400-1000nm)

線掃描式高光譜相機(400-1000nm)高光譜相機專為工業(yè)和實驗室使用而設(shè)計。高光譜相機采用線掃描模式工作，可用于收集可見光和近紅外 (vnir) 區(qū)域 (400-1000 nm) 的光譜數(shù)據(jù)，經(jīng)過色彩優(yōu)化的高光譜相機可用于收集 400-780 nm 范圍內(nèi)的光譜數(shù)據(jù)。

更新時間:2025-12-15

該公司產(chǎn)品分類：筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司

便攜式高光譜相機(400-1000nm)

便攜式高光譜相機(400-1000nm)我們廣泛的相機產(chǎn)品組合涵蓋多個不同波段范圍，可用于工業(yè)、科研和政府單位等。無論是實驗室、工業(yè)設(shè)施還是現(xiàn)場，我們都能滿足您的需求。

更新時間:2025-12-15

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MCT-UHSM-I-10.6-1×13.0-12.0um 超高速MCT光浸式紅外光伏探測模塊

產(chǎn)品總覽uhsm-i-10.6是一款超高速單對紅外檢測模塊。它是基于mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱電冷卻光浸沒式光伏探測器，在緊湊的外殼中集成了跨阻、交流耦合前置放大器、風(fēng)扇和熱電冷卻控制器。3 °楔形硒化鋅增透涂層(wznsear)窗可防止不必要的干擾效應(yīng)。

更新時間:2025-12-15

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MCT-PVI-4TE-3-1×12-12um MCT中紅外四級TE冷卻光浸式光電探測器 PVI-4TE系列

pvi-4te系列是基于復(fù)雜的hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級熱電冷卻紅外光電探測器，具有的性能和穩(wěn)定性，同時采用光學(xué)浸入來改善器件的參數(shù)。探測器在λopt時具有他本身的z佳性能。起始波長可根據(jù)需要進行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動態(tài)范圍以及高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。

更新時間:2025-12-15

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NIPM-I-52.9–5.5μm 碲鎘汞 MCT(HgCdTe) 平衡/自動平衡紅外檢測模塊 1.8 MHz

產(chǎn)品總覽nipm-i-5是一款專為差分光信號檢測而設(shè)計的紅外檢測模塊。該設(shè)備可以在平衡和自動平衡模式下運行。該檢測模塊使用兩個基于 hgcdte 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的獨立檢測器。這些 ir 檢測器（信號和參考）精確匹配，以實現(xiàn)非常高的共模抑制比 (cmrr)。 nipm-i-5 專用于在激光的過量噪聲超過檢測器的基本噪聲的系統(tǒng)中運行。

更新時間:2025-12-15

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LabM-I-52.7-5.6um DC-18MHz碲鎘汞可編程實驗室紅外檢測模塊(帶光浸式光伏探測器)

產(chǎn)品總覽labm-i-5是一種檢測模塊，其特征是基于hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)（pvi-2te-5-1×1-to8-wal2o3-36）的te冷卻、光學(xué)浸沒光伏紅外探測器，與可編程跨阻抗放大器（pip系列）集成。為了正常運行，需要可編程的vigo熱電冷卻器控制器ptcc-01（單獨出售）和smart manager軟件（免費軟件）。

更新時間:2025-12-15

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MCT-UM-I-6-1×1碲鎘汞 MCT(HgCdTe)通用紅外檢測模塊 3.0–6.7μm DC–1 MHz

產(chǎn)品總覽um-i-6是一款通用的一體化紅外檢測模塊。它是基于碲鎘汞異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱電冷卻光浸沒光伏探測器，在緊湊的外殼中集成了跨阻、直流耦合前置放大器、風(fēng)扇和熱電冷卻器控制器。3 °楔形硒化鋅增透涂層窗戶防止不必要的干擾效果。um-i-6檢測模塊是非常方便和用戶友好的設(shè)備，因此可以很容易地用于各種mwir應(yīng)用。

更新時間:2025-12-15

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1-12um 中紅外非冷卻光浸沒式MCT光電導(dǎo)探測器 PCI系列

pci系列是基于復(fù)雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外光電導(dǎo)探測器，通過光學(xué)浸沒來改善器件的參數(shù)，具有的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt時工作性能佳。截止波長受gaas透過率(~0.9μm)的限制。此設(shè)備應(yīng)該在的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時探測器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長增大而增大。

更新時間:2025-12-15

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Si-0.19/1.1um-4.1mm-50M190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測器

190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測器筱曉光子的硅基放大光電探測器感光范圍覆蓋190nm~1100nm，可實現(xiàn)定量光電轉(zhuǎn)換，動態(tài)范圍寬，適用于各種光電開發(fā)場景，性能，性價比高，提供quan方位技術(shù)支持，常應(yīng)用于紫外與可見光測量。

更新時間:2025-12-15

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InGaAs-0.8/2.6um-1x1mm-AG8800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器--紅外延伸

800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器--紅外延伸我們的銦鎵砷探測器，感光范圍覆蓋800nm~1700nm，常用于近紅外光測量；放大型探測器，8檔可調(diào)增益，定量化光電轉(zhuǎn)換；動態(tài)范圍寬，適用于各種光電開發(fā)場景，應(yīng)用廣泛

更新時間:2025-12-15

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PDA8A2(DP)320-1000nm放大型固定增益硅光電探測器

320-1000nm放大型固定增益硅光電探測器銦鎵砷雪崩光電探測器(apd)設(shè)計用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測器更強的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變增益(即m因子)和/或溫度補償?shù)陌姹尽?/div> 更新時間:2025-12-15

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320-1100nm放大型固定增益硅光電探測器

320-1100nm放大型固定增益硅光電探測器銦鎵砷雪崩光電探測器(apd)設(shè)計用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測器更強的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變增益(即m因子)和/或溫度補償?shù)陌姹尽?/div> 更新時間:2025-12-15

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太赫茲相機(0.05-0.7THz 64x64)|材料檢測

太赫茲相機(0.05-0.7thz 64x64)|材料檢測我們開發(fā)出一種用于制造新一代太赫茲成像半導(dǎo)體探測器陣列的技術(shù)。該探測器可在室溫環(huán)境下工作，其陣列像素數(shù)量具備可擴展性。公司正于為科研與工業(yè)領(lǐng)域開發(fā)靈活的太赫茲成像解決方案。

更新時間:2025-12-15

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太赫茲非球面平凸聚光透鏡(PTFE 聚四氟乙烯)

太赫茲非球面平凸聚光透鏡(ptfe 聚四氟乙烯)作為現(xiàn)成的太赫茲成像解決方案的一部分，我們提供工作在 thz 頻段的 tpx 和 ptfe 透鏡及光學(xué)系統(tǒng)。塑料平凸透鏡由聚四氟乙烯（純白 ptfe，teflon?）制成，其介電常數(shù)較低，在 520 ghz 時約為 1.96，折射率為 1.4。

更新時間:2025-12-15

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MCT-PVI-3-1×12.5-6.5um MCT中紅外非制冷光電探測器 PVI系列

2.5-6.5um mct中紅外非制冷光電探測器 pvi系列pvi系列是基于復(fù)雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測器，采用光學(xué)浸沒的方式提高器件的性能參數(shù)，使其具有的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時達(dá)到它本身能達(dá)到的的z佳性能。

更新時間:2025-12-15

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IRPD5521Y-1.25-P-T-PG InGaAs光電二管模塊光譜響應(yīng)800-1600nm

光譜響應(yīng)范圍 800-1600nm，速度 1.25gbps，帶tia，5pin腳

更新時間:2025-12-15

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800~1700nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器

800~1700nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器我們的硅探測器，感光范圍覆蓋190nm~1100nm，常用于紫外與可見光測量；放大型探測器，8檔可調(diào)增益，定量光電轉(zhuǎn)換；動態(tài)范圍寬，適用于各種光電開發(fā)場景，應(yīng)用廣泛；索雷博thorlabs同款，無縫兼容；性能，高性價比，quan方位技術(shù)支持；提供非標(biāo)定制服務(wù)。

更新時間:2025-12-15

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IGA-APD-GM104-R-TEC InGaAs蓋革模式雪崩光電二管光譜響應(yīng)0.9-1.7μm

光譜響應(yīng)范圍0.9~1.7μm；響應(yīng)度 @1550nm: 0.85 a/w; 6針to8 封裝；smf-28e 光纖耦合；fc/apc, 帶 tce

更新時間:2025-12-15

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C30902EH 硅Si高性能雪崩光電二管 400-1000nm 感光直徑0.5mm 封裝TO-18

感光面積：0.2mm2 感光直徑：0.5mm 擊穿電壓：225v 結(jié)電容：1.6pf 暗電流：15na 增益：150 噪聲電流：0.23pa/√hz 封裝：to-18，平面窗口峰值靈敏度波長：830 nm 響應(yīng)時間：響應(yīng)度：在830 nm為77 a/w 在900 nm處為65 a/w 上升/下降時間：0.5ns 溫度系數(shù)：0.7v/°c 波長：400-1100nm

更新時間:2025-12-15

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APD-SI-905-0.5-LCC3 硅Si雪崩光電二管 905nm 400-1100nm 光敏面直徑0.5mm

光譜響應(yīng)范圍：400-1100nm 峰值響應(yīng)波長：905nm 光敏面直徑：0.5mm 封裝：lcc3

更新時間:2025-12-15

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320～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器

320～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器我們的硅探測器，感光范圍覆蓋190nm~1100nm，常用于紫外與可見光測量；放大型探測器，8檔可調(diào)增益，定量光電轉(zhuǎn)換；動態(tài)范圍寬，適用于各種光電開發(fā)場景，應(yīng)用廣泛；索雷博thorlabs同款，無縫兼容；性能，高性價比，quan方位技術(shù)支持；提供非標(biāo)定制服務(wù)。

更新時間:2025-12-15

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光電二管放大器混合器 350-1100nm/200-1100nm 封裝30/TO-5

光譜范圍350-100nm,響應(yīng)度:(a/w)0.65@970nm, 有效面積(5.1mm2),封裝形式30 / to-5

更新時間:2025-12-15

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InGaAs-0.8/2.6um-2x2mm-AG8800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器--紅外延伸

800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測器--紅外延伸我們的銦鎵砷探測器，感光范圍覆蓋800nm~1700nm，常用于近紅外光測量；放大型探測器，8檔可調(diào)增益，定量化光電轉(zhuǎn)換；動態(tài)范圍寬，適用于各種光電開發(fā)場景，應(yīng)用廣泛；

更新時間:2025-12-15

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UPD-30-VSG-PAlphalas UPD超快光電探測器320-900nm

上升時間：＜30ps 帶寬：＞10ghz 光譜響應(yīng)范圍：320-900nm 量子效率@peak：40% 光敏面大?。?00×200 / 0.04um/mm2 nep：3.0 × 10-15(w/√hz) 暗電流：0.1na 材料：gaas 輸入方式：空間光輸入 rf信號輸出：sma

更新時間:2025-12-15

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PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90InAsSb 紅外光伏探測器非冷卻非浸沒 2.3um TO39

產(chǎn)品總覽pva系列是基于inas1-xsbx合金的非冷卻紅外光伏探測器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機械耐用，且不含汞和鎘，符合rohs指標(biāo)要求

更新時間:2025-12-15

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GE-10X10-TO9 Ge鍺超大光敏PIN光電二管 800-1800nm 直徑10mm

光譜響應(yīng)范圍 800-1800nm；光敏面直徑 10mm；響應(yīng)度@1550nm 0.85 a/w；光敏材料 ge；2pin腳

更新時間:2025-12-15

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GE-5X5-TO8 Ge鍺大光敏PIN光電二管 800-1800nm 直徑5mm

光譜響應(yīng)范圍 800-1800nm，直徑 5mm，響應(yīng)度@1550nm 0.85 a/w，2pin腳

更新時間:2025-12-15

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UPD-5N-IR2-PAlphalas UPD超快光電探測器（800-2600nm ，上升沿時間＜200ps ，InGaAs；Polished； glass）

上升時間：＜200ps 帶寬：＞0.3ghz 光譜響應(yīng)范圍：800-2600nm 量子效率@peak：70% 光敏面大?。?00/0.07um/mm2 nep：7× 10-13(w/√hz) 暗電流：2000na 材料：ingaas 輸入方式：空間光輸入 rf信號輸出：bnc

更新時間:2025-12-15

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UPD-300-SPAlphalas UPD超快光電探測器（320-1100nm ＜300ps上升沿時間 Si >1GHz 拋光玻璃)

alphalas upd系列自由空間入射超快光電探測器系列適合用于從直流到25ghz的空間光波形的測量。可提供檢測最短為15ps上升時間的光脈沖信號，覆蓋從170至2600nm的光譜范圍。所有探測器都由緊湊堅實的過氧極化鋁外殼封裝，供電方式可以采用電池或外接電源。是可提供從170到1100 nm擴展到紫外光譜范圍高速硅探測器商業(yè)產(chǎn)品。

更新時間:2025-12-15

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ET-2070硅 Silicon ET-2070 - 硅光電探測器 >118 MHz 美國EOT

產(chǎn)品總覽筱曉光子公司代理美國的eot(electro-optics technology)公司全線產(chǎn)品eot 的<10 ghz 光電探測器包含 pin 光電二極管，利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。

更新時間:2025-12-15

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350～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器

350～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器我們的硅探測器，感光范圍覆蓋190nm~1100nm，常用于紫外與可見光測量；放大型探測器，8檔可調(diào)增益，定量光電轉(zhuǎn)換；動態(tài)范圍寬，適用于各種光電開發(fā)場景，應(yīng)用廣泛；索雷博thorlabs同款，無縫兼容；性能，高性價比，quan方位技術(shù)支持；提供非標(biāo)定制服務(wù)。

更新時間:2025-12-15

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WL-IPD4B 數(shù)字集成光電二管 1kHz 高精度低漂移

電源電壓(vs) 提供的usb:5v ,電源電流正常工作(1khz) :90ma

更新時間:2025-12-15

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MIR QWIP5um 超快中紅外探測器中紅外量子阱紅外探測器 QWIP

mir qwip是基于的qwip技術(shù)而研發(fā)的一款超快速中紅外探測器。它的響應(yīng)速度高達(dá)數(shù)十ghz，是市場上最快的檢測器。它是表征qcl頻率梳、構(gòu)建外差儀器、開發(fā)中紅外高帶寬光學(xué)通信鏈路的完quan工具。qwip的技術(shù)是卡洛·瑟托里教授在pierre aigrain實驗室研發(fā)的。我們對包裝和設(shè)備進行了優(yōu)化，以適應(yīng)低溫下的超高速運行。

更新時間:2025-12-15

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M-NANO-MINI-Custom 微型納Nd:YAG毫焦激光頭輸出功率1W 中心波長1064nm

平均輸出功率 1 w 大脈沖能量 1 ... 20 mj 脈沖持續(xù)時間(fwhm) 3...8 ns 波長(中心) 1064nm

更新時間:2025-12-15

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MCF-7-2-150-250 7芯高純SiO2多芯微結(jié)構(gòu)光纖纖芯直徑2.1±0.3μm 裸纖直徑 150±3μm

纖芯數(shù)量:7芯纖芯直徑：2.1 ± 0.3 μm 裸纖直徑：150 ± 3 μm 涂敷層直徑：250 ± 3 μm（丙烯酸酯）數(shù)值孔徑：0.48 ± 0.05

更新時間:2025-12-15

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FCA-A0-S65-Q-1-9-SA 基于silica V-Groove 2D 光纖陣列定制 SMF-28E FC/APC連接

光纖數(shù)量6*5，共30路，矩形排列，光纖間距1mm，間距誤差小于20um，角度誤差小于20mrad，單模光纖，，30根光纖用smf-28e，fc/apc連接器

更新時間:2025-12-15

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HC-1500-100-30 可見光近紅外中空光纖內(nèi)徑尺寸1500um 平均功率30W

鍍銀涂層中空光纖包層材料：塑料內(nèi)徑尺寸：1500um 脈沖能量：100mj@532nm,5ns 大平均功率：30w

更新時間:2025-12-15

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MPYH-375×375/660-960-22-AC 單能量勻化矩形纖芯激光傳輸光纖芯徑375um 包層直徑660±5um

數(shù)值孔徑 0.22±0.02；芯徑 375×375±5um；包層直徑 660±5um；涂覆直徑 960±20um ,580/米

更新時間:2025-12-15

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SI220-200/220-SC單包層泵浦能量傳輸多模光纖(摻氟玻璃包層纖芯直徑200um 包層直徑220um)

筱曉光束傳輸光纖是階躍型折射率分布的多模光纖，采用高純合成二氧化硅玻璃纖芯和摻氟二氧化硅玻璃包層，光纖具有低損耗，高激光損傷閾值，高機械強度等特點。較大的數(shù)值孔徑大大提高光纖的耦合效率和抗彎能力。產(chǎn)品采用嚴(yán)格的光纖拉絲工藝和高性能光纖涂層，具有良好的可靠性、一致性與穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于材料加工、科學(xué)研究和醫(yī)療等領(lǐng)域，能quan面滿足各類客戶對激光傳輸?shù)囊蟆?/div> 更新時間:2025-12-15

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1206R80X200LV二氧化硅非圓芯徑矩形勻化光纖 (Optran UV NCC WF RCT NA=0.20/0.48)

optran? uv ncc, optran? wf ncc二氧化硅非圓芯徑光纖ceramoptec?提供矩形、方形、八角形和其他纖芯/包層幾何形狀的光纖，與我們的uv/wv系列光纖相比，具有更多優(yōu)勢。

更新時間:2025-12-15

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UHNA1UHNA超高數(shù)值孔徑單模光纖 NA0.28

coherent/nufern公司uhna超高數(shù)值孔徑單模光纖是連接高數(shù)值孔徑光波導(dǎo)和低數(shù)值孔徑傳輸光纖的理想橋接光纖，一方面uhna光纖和其他高數(shù)值孔徑光纖（波導(dǎo)）具有很高的耦合效率，另一方面，uhna光纖的成分組和使得uhna光纖和普通傳輸光纖熔接時纖芯熱擴束，從而保證uhna和低數(shù)值孔徑傳輸光纖的低損耗的熔接。

更新時間:2025-12-15

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Optran® UV WFS 200-2000nm 寬帶二氧化硅光纖數(shù)值孔徑NA=0.12±0.02

波長 optran®uvwfs 200–2000nm 數(shù)值孔徑 (na):低 0,12 ± 0,02, 標(biāo)準(zhǔn) 0,22 ± 0,02,高 0,28 ± 0,02

更新時間:2025-12-15

該公司產(chǎn)品分類：筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司

Optran? UV NSSOptran? UV NSS 碳層密封光纖 ,高抗日曬短波紫外 190–1200nm

optran? uv nss是為短波紫外線光譜范圍提供的一款新產(chǎn)品，高抗日曬能力和超qiang穩(wěn)定性使其具有廣泛的應(yīng)用前景。

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鍍鋁階躍折射率多模光纖

鍍鋁階躍折射率多模光纖ixf-sm 系列包含專為極端溫度和 / 或低至中等輻射水平的惡劣環(huán)境設(shè)計的單模光纖。我們提供多種聚合物和金屬涂層 , 非常適合高溫應(yīng)用場景。鋁涂層光纖具有寬泛的工作溫度范圍，從低溫環(huán)境到 + 400°c 均可適用，且具備氫密封性，能在富氫環(huán)境中減輕氫致暗化現(xiàn)象。

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ZDF-10/125-30H2.5P-O稀土Ho鈥/Pr鐠摻雜 ZBLAN雙包層氟化物裸光纖

稀土ho鈥/pr鐠摻雜 zblan雙包層氟化物裸光纖zblan光纖是由zrf4、baf2、laf3、alf3和naf等重金屬氟化物組成的復(fù)合玻璃光纖。與廣泛應(yīng)用的石英光纖相比，zblan光纖具有傳輸波長范圍寬（0.35μm~4μm）和摻雜稀土離子發(fā)射效率高等特點。

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780-HP780-HP 單模光纖 780-970nm 4.4/125um

產(chǎn)品總覽780-hp高性能選擇截止波長單模光纖是針對近紅外光進行優(yōu)化設(shè)計的特種單模光纖，用來滿足光纖耦合器制作，半導(dǎo)體激光器尾纖以及近紅外連續(xù)譜傳輸?shù)忍囟ǖ男枰取?/div> 更新時間:2025-12-15

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Yb85-30/250-PM 熊貓型保偏摻鐿光纖纖芯吸收85dB/m 截止波長880±80nm

纖芯吸收 85 db/m@915nm ,模場直徑30.0 ± 0.5,截止波長:880 ± 80nm 包層直徑:250 ± 5.0um,400 ± 15um

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DCF-YB-20/125E-PM摻鐿保偏雙包層光纖

產(chǎn)品總覽這種雙包層光纖具有高吸收和低光暗化特性。在各種材料加工應(yīng)用中顯示出優(yōu)良的特性。這種光纖提供了高雙折射，是設(shè)計脈沖光纖激光器和放大器的理想選擇。

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DCF-EY-10/128P雙包層鉺鐿共摻保偏光纖 (CorActive 10±2um )

產(chǎn)品總覽coractive公司生產(chǎn)的dcf-ey-10/128-pm是鉺鐿纖維共摻的雙包層保偏光纖，不僅可以擁有較高的摻雜濃度和高效的能量轉(zhuǎn)移，還可以降低所需的泵功率，由于這種配比的極化性能保持光纖具有高效率和的光束質(zhì)量，因此非常適合設(shè)計用于各種市場的低功耗光纖激光器和放大器，如激光雷達(dá)。

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